温度对半导体导电特性的影响，我要具体详尽的说明，谢谢！！！注释：强调的是温度

拿其电阻率来说，电阻率主要决定于载流子的浓度和迁移率，两者均与杂质浓度和温度有关系。讨论纯半导体材料是，电阻率主要取决于本证载流子浓度ni，ni随温度升高会急剧增加，室温左右时，每8℃，硅的ni会增加大约一倍，而迁移率只是稍有下降，所以可以认为起电阻率相应的降低了一半左右。对于锗，每增加12℃，ni增加一倍，电阻率下降一半。本征半导体的电阻率随温度增加单调下降。对于杂质半导体：温度很低时，本征激发忽略，主要由杂质电离提供载流子，它随温度升高而增加；散射主要由电离杂质决定，迁移率随温度升高增大，所以电阻率下降。温度继续升高，杂质全部电离，本征激发还不显著时，载流子基本不变，晶格振动是主要影响因素，迁移率随温度升高而降低，所以电阻率随温度升高而增大。继续升高到本征激发很快增加时，本征激发称为主要影响因素，表现出同本证半导体相同的特征。

半导体器件产生的热量来源于芯片的功耗，热量的累积必定导致半导体结点温度的升高，随着结点温度的提高，半导体器件性能将会下降，因此芯片厂家都有规定半导体器件的结点温度。在普通数字电路中，由于低速电路的功耗较小，在正常的散热条件下，芯片的温升不会太大，所以不用考虑芯片的散热问题。而在高速电路中，芯片的功耗较大，在正常条件下的散热不能保证芯片的结点温度不超过允许工作温度，因此需要考虑芯片的散热问题。半导体电路集成电路中，器件的结温是由产热与散热的诸因素决定的。

结温（Junction Temperature）是电子设备中半导体的实际工作温度。在 *** 作中，它通常较封装外壳温度（Case Temperature）高。温度差等于其间热的功率乘以热阻。

最大结温在指定一个组成成分的数据，并给定功耗的情况下，计算外壳与环境之间热阻。或者反过来可以帮助设计人员确定一个合适散热器。

散热器

有些设备工作时会产生大量的热量，而这些多余的热量不能有快速散去并聚积起来产生高温，很可能会毁坏正在工作的设备，这时散热器便能有效地解决这个问题。

散热器是附在发热设备上的一层良好导热介质，扮演犹如中间人一样的角色，有时在导热介质(导热膏)的基础上还会加上风扇等等东西来加快散热效果。但有时散热器也扮演强盗的角色，如冰箱的散热器是强制抽走热量，来达到比室温更低的温度。

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