半导体物理中,关于PN结,为什么正向偏压时,Efn高于Efp,而反向偏压时Efp高于Efn

半导体物理中,关于PN结,为什么正向偏压时,Efn高于Efp,而反向偏压时Efp高于Efn,第1张

当n区相对P区有负电压,且当负电压低于-0.6V(即绝对值大于0.6V)时,就会产生一个P区到N区的大电流;当有正电压时,在小于击穿电压之前电流可以忽略不计。二极管的基本性质可以通过考虑耗尽层的电压和电场来理解。正向偏压即在N区加一个相对P区的负电压。这样会导致PN结内建电势的减小,其变化趋势如图3e所示。PN结内建电势的减小会导致电场以及耗尽区宽度的减小,如图d、c和b所示。二极管内部电压的减小和耗尽区宽度的减小开始允许电流导通二极管。

假如该半导体为一普通二极管,其两端的触头分P(正)区和N(负)区。

当电源的正极接在P(正)端,负极接在N(负)端,电流方向为PN,此时二极管两端的电压为正向电压(或正偏电压);

当电源的正极接在N(负)端,负极接在P(正)端,电流方向为NP,此时二极管两端的电压为反向电压(或反偏电压)。


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