工程实际中,影响半导体材料少子寿命的因素有哪些？

1.少量深能级杂质能大大降低少子寿命。过渡金属杂质往往是深能级杂质，如Fe、Cr、Mo等杂质。2. 电阻率的影响 随着电阻率的增大，少子寿命也不断增大。3. 温度变化强烈影响少子寿命。但是影响规律十分复杂。一般为随温度上升少子寿命先降后升。

um（微米）是长度单位,是指少子的扩散长度；少子寿命的单位是us（微秒） 少子扩散长度和少子寿命基本上是等同的,一个是指能“跑多远”,一个是指能“活多久”,表述不同而已 少子寿命是越大越好,就目前的太阳能级硅来说能有5us已经不错了,如果太低（如小于1us）将严重影响电池效率.现在太阳能企业要求越来越高,多晶要求大于2,单晶要求大于10. 处于热平衡状态下的半导体,在一定温度下,载流子的浓度是一定的,称为平衡载流子浓度,如果对半导体施加外界作用,破坏了热平衡的条件,称为非平衡状态.比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子.非平衡载流子分为非平衡多数载流子和非平衡少数载流子,对于n型半导体材料,多出来的电子就是非平衡多数载流子,空穴则是非平衡少数载流子.对p型半导体材料则相反,产生非平衡载流子的外界作用撤除以后,它们要逐渐衰减以致消失,最后载流子浓度恢复到平衡时的值,非平衡少数载流子的平均生存时间称为非平衡少数载流子的寿命,简称少子寿命. 转载的 哈哈 0-0

影响极大，减短寿命。少子寿命是半导体材料和器件的重要参数，即少数载流子寿命。光生电子和空穴从一开始在半导体中产生直到消失的时间称为寿命。杂质和缺陷对少子寿命影响极大，减短寿命，杂质、缺陷愈多非平衡载流子消失得愈快，在复合过程中少数载流子起主导和决定的作用。会产生杂质能级，成为少子的复合中心，从而寿命降低。

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