第三代半导体板块卷土重来，产业链如何布局？

周二盘中，第三代半导体板块冲高，截至发稿，聚灿光电拉升封板，派瑞股份大涨近15%，乾照光电、易事特、台基股份等个股纷纷走高。

粤开证券研报指出，第三代半导体是“十四五”重要发展方向，据国家新材料产业发展专家咨询委员会委员介绍，国家2030计划和“十四五”国家研发计划已明确第三代半导体是重要发展方向。第三代半导体下游应用切中“新基建”中5G基站、特高压、新能源充电桩、城际高铁交主要领域。

半导体产业链如何布局？

粤开证券研报指出，第三代半导体有望成为我国半导体产业的突围先锋，相关产业链上下游企业将充分受益。

1、IC设计：IC龙头公司需要精选赛道，我国功率半导体、模拟器件以及Wi-Fi、指纹识别、音频等消费类芯片领域，更有希望在下游快速发展的过程中享受国产替代和市场发展的双重红利。

2、IC制造：我国IC制造的挑战和不确定性在于先进制程，成熟制程以及存储器企业的国产化已取得一定成绩。逻辑芯片方面，先进制程中芯国际的14nm新产能正在有序推进，与台积电代差逐步缩小；成熟制程中北京燕东、上海积塔、广东粤芯等新产能扩张能够对产业链形成有效拉动。

IGBT是可控器件，即可通过开关信号控制它的门极实现CE间输出关断。现在热门的高铁、风电、光伏、电动汽车等新能源行业中DC-AC的开关器件，将母线上的直流电转化为交流输出，也就是常说的逆变单元。相近应用的元件比较，IGBT较GTO具备更高的开关频率，较MOS具备更高的耐压。

IGBT相对于MOSFET的缺点有二：

1）开关速度低。

2）同时有多子和少子起作用，这导致他工作的时候是内阻是负温度系数。这不利于多管并联，也不利于高可靠性工作。

优点，那就是应为是少子和多子同时起作用。所以导通压降小。