微波集成电路是工作在微波波段和毫米波波段,由微波无源元件、有源器件、传输线和互连线集成在一个基片上,具有某种功能的电路。可分为混合微波集成电路和单片微波集成电路。混合微波集成电路是采用薄膜或厚膜技术,将无源微波电路制作在适合传输微波信号的基片上的功能块。电路是根据系统的需要而设计制造的。常用的混合微波集成电路有微带混频器、微波低噪声放大器、功率放大器、倍频器、相控阵单元等各种宽带微波电路。单片微波集成电路是采用平面技术,将元器件、传输线、互连线直接制做在半导体基片上的功能块。砷化镓是最常用的基片材料。微波集成电路起始于20世纪50年代。微波电路技术由同轴线、波导元件及其组成的系统转向平面型电路的一个重要原因,是微波固态器件的发展。20世纪60~70年代采用氧化铝基片和厚膜薄膜工艺;80年代开始有单片集成电路。
单片微波集成电路是为了应对5G数据网络的大信息量的单一封装射频组件集合元件。早期基站可能容纳四到八根天线,而5G基站可以容纳数百根独立的发射和接收天线同时运行——这意味着现在有数百个无线电信道可以并行实施扫描和处理,而且都工作在更高的频率上。由于天线配置的密度较大且比较复杂,连接必要数量的电缆来仿真和测试每一条信道会变得不切实际。由于在某种程度上,可通过更宽的带宽信号实现5G固有的更高数据吞吐量,因此5G测试还需要能够生成和分析新5G波形的极限宽带仪器。因此5G测试系统的设计人员需要采用一种能够在广泛的频带中适应极端多信道测试环境的射频组件,同时这种组件又不能显著增加设备的尺寸和重量等。这意味着需要更高的集成度并采用一种全新的系统设计方案,即利用将多项功能集成在单一封装中的单片微波集成电路(MMIC)来代替分立射频元件。主要是针对的频率不一样,毫米波和微波的频率要比射频高。广义上说微波可以指300MHz-300GHz的信号,射频指3KHz-300GHz的信号,但是工程上他们通常表示特定频率的应用。射频集成电路(RFIC)一般工作在3GHz以下频率。而微波集成电路通常工作在3GHz以上,毫米波集成电路工作在30GHz以上。当然这种区分也不是绝对的。在介质电路中,电磁波的波长比真空中要小,所以只要实际传输波长达到毫米量级,就可以称作毫米波电路。由于频率不一样,工作波长差别很大。因此电路的尺寸也不同,RFIC的尺寸就要比微波/毫米波电路大得多。频率越高,集成电路的精密度越高。对加工误差的要求越高。
另外由于电磁波频率越高,发射性越强,所以在高频电路的设计上有更多需要注意的地方。
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