GS导通4.5V，为何GS要达到12V以上，Rdson最小？

栅极没有电压时，由前面剖析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS 场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸收出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挠，使得电子汇集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而构成电流，使源极和漏极之间导通。我们也能够想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的树立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决议。图8给出了P沟道的MOS 场效应管的工作过程，其工作原理相似这里不再反复。

关于场效应管（见图7），在栅极没有电压时，由前面剖析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS 场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸收出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挠，使得电子汇集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而构成电流，使源极和漏极之间导通。我们也能够想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的树立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决议。图8给出了P沟道的MOS 场效应管的工作过程，其工作原理相似这里不再反复。

下面简述一下用C-MOS场效应管（加强型MOS 场效应管）组成的应用电路的工作过程（见图9）。电路将一个加强型P沟道MOS场效应管和一个加强型N沟道MOS场效应管组合在一同运用。当输入端为低电平常，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平常，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。经过这种工作方式我们能够取得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断

这只是二极管的固定代码

稳压二极管也称为齐纳二极管，是用于稳压的一种二极管，它工作于反向击穿状态的二极管，文字符号用VZ表示。

发光二极管（LED）它于普通二极管一样是由PN结构成，它工作在正偏置状态。发光二极管是用磷化镓或砷化镓等半导体材料制成，它能直接将电能转换成光能的器件。电流通过发光二极管时，它两端有一个“管压降”，通常管压降在1.7-3.5V左右，比如 红色发光二极管的管压降为1.7v左右，白色跟绿色的为2v左右，紫色蓝色的为3.5v左右，黄色的为1.8v左右。

光电二极管是一种能将接收到的光信号转换成电信号输出的二极管，也称光敏二极管。光电二极管跟普通二极管一样，具有单向导电性，它用于制造光敏传感器，光电控制器等。

变容二极管 、变容二极管像稳压二极管一样，工作在反向偏置状态。变容二极管的电容量为pf级。

二极管的测量

将数字万用表调到二极管挡，也就是峰鸣挡，红黑表笔同时接二极管的两端，如果万用表显示500多，那么红表笔接的是二极管的正极，黑表笔接的是二极管的负极，如果万用表显示1，那么红表笔接的是二极管的负极，黑表笔接的是二极管的正极。

三极管

三极管按两个PN结组合方式的不同，可分为PNP型跟NPN型两类。不管是PNP的三极管还是NPN的三极管，都可以用锗或者硅两种材料制作，所以三极管又可以分为锗三极管和硅三极管。三极管有三个电极，分别是 基极b，发射极e，集电极c。

三极管的电流放大作用

实质上是用较小的基极电流控制控制较大电流的集电极电流，实现以小电流控制大电流的作用。而想要三极管处于放大状态，必须要外部提供直流偏置，保证三极管的发射结加正向电压，也就是正偏，集电结加反向电压，就是反偏。

三极管有三个状态：1截止区，2饱和区，3放大区截止区，发射极电压小于开启电压，且集电结反偏饱和区，集电结跟发射结处于正偏放大区，发射结正偏，集电结反偏

测量好坏 ：用万用表调到R×1K电阻挡，用万用表的一支表笔依次接三极管的一个引脚，而另外一个表笔分别接另外两个引脚，测量三极管三个引脚中每两个引脚的正反向电阻。如果正反向电阻都是无穷大，那么该三极管已经坏了。

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