半导体sd应力参数

常用半导体二极管的主要参数表13部分半导体二极管的参数类型参、数型、号最大整流电流/mA正向电流/mA正向压降（在左栏电流值下）/V反向击穿电压/V最高反向工作电压/V反向电流/pA零偏压电容/pF反向恢复时间/ns普通检波二极管2AP92.5402025051501002AP11101102501fH(MHz)402AP17101501301032000.960402101705022501030B45C60D75E90A20B30C40D50E601.520301501002CK75AD1502CK76AD200类型参、数型、号最大整流电流/mA正向电流/mA正向压降（在左栏电流值下）/V反向击穿电压/V最高反向工作电压/V反向电流/pA零偏压电容/pF反向恢复时间/ns整流极管2CZ52BH20.1125600同2AP普通二极管2CZ53BM60.315010002CZ54BM100.515010002CZ55BM20115010002CZ56BB6530.82510001N400140073011.150100051N53915399501.51.4501000101N5400540820031.2501000103.常用整流桥的主要参数表14几种单相桥式整流器的参数7、-数型号、不重复正向浪涌电流/A整流电流/A正向电压降/V反向漏电/pA反向工作电压/V最高工作结温/oCQL110.051.210常见的分档为：25，50，100，200，400，500，600，700，800，900，1000130QL220.1QL460.3QL5100.5QL6201QL740215QL86034.常用稳压二极管的主要参数表15部分稳压二极管的主要参数测试条件、参工作电流为稳定电流稳定电压下环境温度50oC稳定电流下稳定电流下环境温度10oC型、遨稳定电压稳定电最大稳定反向漏电动态电电压温度系最大耗散号/V流/mA电流/mA流阻/Q数/10-4/oC功率/W2CW512.53.5715-92CW523.24.5552-82CW5345.841150-642CW545.56.5103830-352CW5678.8271570.252CW578.59.8260.52082CW591011.8203092CW6011.512.55194092CW10345.850165120-642CW11011.512.520760.520912CW113161910520.540112CW1A5302402012CW6C153070812CW7C6.06.5103030303030IC=1mABVceo(V)12121824IC=1mA直流参数Icbo(MA)12121212Vcb=-10VIceo(MA)500500300300Vce=-6VIEBO(MA)121212500500500500Vcb=-6VIE=1mANp(dB)一8一一Vcb=-2VIE=0.5mAf=1kHzh；e(kO)0.64.50.64.50.64.50.64.5Vcb=-6VIE=1mAf=1kHzh”e(x10)2.22.22.22.2hoe(PS)80808080hfe一一一一hFE色标分档（红）2560；（绿）50100；（蓝）90150管脚EC（2）3AX81型PNP型锗低频小功率三极管表173AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数型号3AX81A3AX81B测试条件极限参数PcM(mW)200200ICM(mA)200200Tjm(oC)7575BVcbo(V)-20-30IC=4mABVceo(V)-10-15IC=4mABVebo(V)-7-10IE=4mA直流参数ICBo(MA)3015VcR=-6VIceo(MA)1000700Vce=-6VIEpo(MA)3015Veb=-6VVbes(V)0.60.6VCE=-1VIC=175mAVces(V)0.6568VCB=-6VIE=10mAhFE色标分档(黄)4055(绿)5580(蓝)80120(紫)120180(灰)180270(白)270400管脚EC(3)3BX31型NPN型锗低频小功率三极管表183BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数型号3BX31M3BX31A3BX31B3BX31C测试条件极限参数PcM(mW)125125125125Ta=25oCICM(mA)125125125125TjM(oC)75757575BVcbo(V)-15-20-30-40IC=1mABVceo(V)-6-12-18-24IC=2mABVebo(V)-6-10-10-10IE=1mA直流参数Icbo(MA)2520126Vcb=6VIceo(MA)1000800600400Vce=6VIebo(MA)2520126Veb=6VVbes(V)0.60.60.60.6Vce=6VIC=100mAVces(V)0.650.650.658f465aVcb=-6VIE=10mAhFE色标分档(黄)4055(绿)5580(蓝)80120(紫)120180(灰)180270(白)270400管脚E)C(1)3DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管表193DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管的参数原型号3DG6测试条件新型号3DG100A3DG100B3DG100C3DG100D极限参数PcmNW)100100100100ICM(mA)20202020bVcbo(V)30403040IC=100(iAbVceo(V)20302030IC=100(iAbVebo(V)4444IE=100pA直流参数IcBO(MA)0.010.010.010.01Vcb=10vIceo(MA)0.10.10.10.1Vce=10vIebo(MA)0.010.010.010.01Veb=1.5VVbes(V)1111IC=10mAIB=1mAVces(V)11130303030VCE=10VIC=3mAfT(MHz)150150300300Vcb=10VI,=3mAf=100MHzR=5Q交流参数Kp（dB）7777Vcb=-6VIE=3mAf=100MHzCb（PF）44440604060IC=100|iABVceo（V）30453045IC=100|iABVebo（V）4444IE=100pA直流参数Icbo（MA）0.50.50.50.5VcR=10VIceo（MA）1111Vce=10VIebo（uA）0.50.50.50.5Veb=1.5VVbes（V）1111IC=100mAIB=10mAVces（V）0.60.60.630303030Vce=10VIC=50mA交流参数fT（MHz）150150300300Vcb=10VlE=50mAf=100MHz%=50KP（dB）6666Vcb=-0VI口=50mAf=100MHzCob（pF）101010150管脚EBC6常用场效应管主要参数表22常用场效应三极管主要参数参数名称N沟道结型MOS型N沟道耗尽型3DJ23DJ43DJ63DJ73D013D023D04DHDHDHDHDHDHDH饱和漏源电流IDSS(mA)0.3100.3100.3100.351.80.35100.35250.3510.5夹断电压VGS(V)119|119|119|119|B19|119|2000200010003000100040002000最大漏源电压BVds(V)2020202020122020最大耗散功率PDNI(mW)10010010010010025100100栅源绝缘电阻rGS(0)108108108108108108109100管脚或CSDSG

属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。

砷化镓，化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。

因为GaAs的晶体很稳定，所以如果身体吸收了少量的GaAs，其实是可以忽略的。当要做晶圆抛光制程（磨GaAs晶圆使表面微粒变小）时，表面的区域会和水起反应，释放或分解出少许的As。

扩展资料

砷化镓(GaAs)是一种很容易被人们提起的半导体材料，它与整个半导体产业密切关联，而这也是我国产业结构中最为薄弱的环节。随着5G的逐步到来，整个社会将进入万物互联的新阶段，半导体相关芯片、器件需求量将进一步爆发，将成为像基础能源一般的存在。

由于GaAs具有高频、低杂讯与低耗电等优良特性，能够应用在高频IC与光电材料上，手机、WLAN、光纤通讯、卫星通讯与太阳能电池均是其适用的领域，其中手机与无线通讯应用是其中占比较高的市场。

参考资料来源：百度百科-砷化镓

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