电脑RRD是内存吗？

DDR 内存

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DDR=Double Data Rate双倍速内存

严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。

从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。

DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。

什么是 DDR1?

有时候大家将老的存储技术 DDR 称为 DDR1 ，使之与 DDR2 加以区分。尽管一般是使用 “DDR” ，但 DDR1 与 DDR 的含义相同。

什么是 DDR2?

DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达 667MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良 .

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

DDR3与DDR2几个主要的不同之处 ：

1.突发长度（Burst Length，BL）

由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取 *** 作加上一个BL=4的写入 *** 作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断 *** 作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。

2.寻址时序（Timing）

就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。

3.DDR3新增的重置（Reset）功能

重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有 *** 作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。

在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。

4.DDR3新增ZQ校准功能

ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新 *** 作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

参考电压分成两个

在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。

点对点连接（Point-to-Point，P2P）

这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。

面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。

5.DDR4

据介绍美国JEDEC将会在不久之后启动DDR4内存峰会，而这也标志着DDR4标准制定工作的展开。一般认为这样的会议召开之后新产品将会在3年左右的时间内上市，而这也意味着我们将可能在2011年的时候使用上DDR4内存，最快也有可能会提前到2010年。

JEDEC表示在7月份于美国召开的存储器大会MEMCON07SanJose上时就考虑过DDR4内存要尽可能得继承DDR3内存的规格。使用Single-endedSignaling( 传统SE信号)信号方式则表示64-bit存储模块技术将会得到继承。不过据说在召开此次的DDR4峰会时，DDR4 内存不仅仅只有Single-endedSignaling方式，大会同时也推出了基于微分信号存储器标准的DDR4内存。

DDR4规格

因此DDR4内存将会拥有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6～3.2Gbps，而基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上是不可能的，因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和微分信号的两种规格产品。

根据多位半导体业界相关人员的介绍，DDR4内存将会是Single-endedSignaling( 传统SE信号)方式DifferentialSignaling( 差分信号技术 )方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品，因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品。

6.DDR5

新的绘图记忆体的承诺，较低的能量消耗量和数据传输在6 Gbps的每秒

我们只看到极少数的绘图卡使用gddr4记忆直至目前为止，但三星已就此案与下一代的gddr5记忆体，并声称它的样本已经发出了向主要的图形处理器公司。

当然，三星并不是第一家公司开始采样gddr5的记忆。双方Hynix和奇梦达还宣布了类似的零件在十一月，但三星的记忆已经进了一步提供了数据传输速率6gb/sec ，超过标准5gb/sec 。因此，三星，大胆声称它的产品'世界上速度最快的记忆体， '和说，它的'能够传输移动影像及相关数据，在24千兆字节每秒。

以及增加带宽， gddr5记忆体也比较低功耗的要求，三星公司声称其记忆体运作，只是1.5 。

三星是目前采样512MB的gddr5芯片（ 16 MB × 32 ） ，和mueez迪恩，三星的市场营销主管绘图记忆体，他说，该记忆体'将使种图形硬体的表现将推动软件开发商提供了一个新台阶眼膨化游戏。不过，我们可能要等待一段时间之前， gddr5成为普遍。三星公司估计，该记忆体将成为'事实上的标准，在顶端表演细分市场'在2010年，当公司说，它将帐户为' 50 ％以上的高年底PC图形市场。

LOGO释意二：跳舞机

DDR是单词Dance Dance Revolution的缩写，中文意为热舞革命。日本柯纳米公司首创的跳舞机，国内很多大型的电玩店中都能看到它 的影子。游戏要求配合电子舞曲跳出完美的舞步，所用音乐大都是耳熟能详的热门歌曲。

DDR满足了年轻人强烈的表现欲，而跳舞本来一直是年轻人热衷的休闲活动，将这两大因素结合在一起的结果……就是一发不可收拾。DDR大有将游戏机中心变为迪斯科之势，一改往日以手为主的传统玩法，整个过程都是用脚来完成，力求在游戏机这个狭小的空间里，体会到和在迪斯科里跳舞一样的感觉。

●跳舞机于1998年暑假在日本推出，当时台湾游戏资讯界名人胡龙云刚好受该游戏的制作公司KONAMI（柯纳米）邀请赴日。胡觉得这个游戏深具潜力，同时认识到如果该游戏真的引发风潮，势必带动社会重新思考大型电子游戏机的真正意义。基于此，胡一回到台湾即积极与相关业者联络引进这种大型电子游戏机———跳舞机。经过一年多的努力，跳舞机在台湾大行其道。

●看到台湾在跳舞机大行其道之下所引发的良性的效应，为了持续加温这股游戏风潮以及改变部分有关单位对大型电玩的先入为主的不良印象，日本KONAMI公司随后举行了一次盛大的DDR劲爆热舞花式大赛。

●1999年4月，DDR从大型机台移植为家用PS（PlayStation，索尼公司出品的游戏机）版本并开始发行后，不只是一般青少年深深着迷，许多成人甚至演艺界名人也陆续成为DDR的超级玩家，比如张学友、陈小春、吴君如等。

●在日本，基于音乐游戏的风行，游戏研发厂商也立刻跟风推出数款类似的游戏机台，一度引发日本游戏业界的互控抄袭案件。

●跳舞机的好处之一是女孩子也纷纷加入进来，不少舞林高手是女孩子—— ——跳舞机，不就是动脑子的DISCO吗?但是，那些比较害羞的玩家，平时对着异性说句话就会脸红，怎么好意思在大庭广众下扭来扭去?好在索尼公司将其移植到PS上，同时推出了配套的舞毯，把游戏场所转移到家中，想怎么玩就怎么玩。并且跳舞毯多了一项"自设步法”的功能，买回去连上电视屏幕，即能在家里大显身手。不过，听说现在许多家庭妇女也想拥有一张如此新忸的玩意，并非赶潮流，而是作减肥之用。跳舞毯面市之后，价位呈直线下降趋势。

当年我对跳舞机可以说是玩到疯狂的地步 经常逃课去玩

跳舞机的玩法十分简单。游戏开始时，听着音乐，看屏幕画面的右下方，会不断出现上、下、左、右的箭头，只要箭头移到顶部指定位置，玩家用脚踩对应踏板即可。例如箭头向左，则踩左方踏板，如此类推地跟着跳，如果踩到踏板和箭头提示的不一样，你的能量计（屏幕左上方的红格部分）就会减少，当能量完全消失就代表你已经"完蛋了”，并且会听到一些十分难听的音效。如果你正确地输入了指令，便能够得到Perfect”或"Great”的等级，如果这两个等级连续出现，画面上将出现"Combo”的字样，你的分数也会倍增；不过，当"Good”、"Boo”或"Miss”出现的话，你的Combo分值就得重新计算。这游戏的感觉就像真的跳舞那样，当你随着节拍跳动的时候，就知道为什么那么多人如此迷恋这个游戏了！

跳舞机有单人玩的，也有双人玩的，难度可分八级，以适合不同程度的玩家。最简单的如随音乐"Have You Ever Been Mellow ”，只需"前、后、前、后、前、左”六个动作便完成。当然，如果你连八级都不在话下了，那么你不妨试一下舞林高手自创的一些花式，比如说玩倒立，整个人头下脚上，只用手按踏板；或者玩跪地，像跳霹雳舞一样，改用膝头撞地；再不就玩转身，一个人玩"双打”，通常玩的四个踏板变成了八个，让你手脚并用，忙得团团转。DDR基本步

关东步（此步法起源于日本关东）：方法是重心脚或比较不灵活的那只脚总是停留在某个箭头上，只使用比较灵活的那只脚踩踏板。

优点：命中率奇高，容易得到Combo，而且体力消耗也比较少。

缺点："惯用脚”的疲劳度上升较快，舞姿相对起来也不太优美。

关西步（同理，此步法起源于日本关西）：方法是在单向输出的时候总有一只脚停留在中心位置，利用小跳跃来增强跳舞时的节奏感。

优点：在音乐节拍慢的时候也能保持较强的节奏感和较高的命中率，舞姿看起来也相当有青春的气息。

缺点：连续的小跳跃要消耗很多的体力，而在箭头连续出现的时候容易出现失误。

自由步：舞步没有一定的规律，完全按照自己的意愿来进行。

优点：接近真正意义上的"跳舞”，舞姿亦比较华丽；加上是非限制性的步法，重心脚经常变换，所以跳起来的时候是不会太累的。

缺点：除了命中率不高外，下脚的位置选择不好的话动作可能会比较散乱，其后果轻则引来在场观众的倒彩，严重者请小心迎面飞来的投掷物。

十字游走：基本上是"关东”的改进型，方法是踩完箭头的脚停在刚才的箭头上，用另外一只脚踩下一个箭头，如此循环下去（关键是换脚的时候位置要选择好）。

优点：很酷的步法，在一些大型游戏中心里的玩家大都使用这种步法；因为这个方法跳起来很有真正"表演”的感觉，而且由于跳跃的动作极少，给人以潇洒感觉，同时又能够节省体力（如果熟练了之后，命中率也不差）。

缺点：还是那句："换脚的时候位置要选择好”，不然的话动作会比较难看

电阻器有哪些分类-电阻器的分类

电阻器的种类有很多,通常分为三大类:固定电阻,可变电阻,特种电阻。下面，我详细地为大家讲讲电阻器的分类，希望对大家有帮助!

特殊电阻器

1、保险电阻

又叫熔断电阻器，在正常情况下起着电阻和保险丝的双重作用，当电路出现故障而使其功率超过额定功率时，它会像保险丝一样熔断使连接电路断开。

保险丝电阻一般电阻值都小(0.33Ω～10KΩ)，功率也较小。保险丝电阻器常用型号有：RF10型、RF111-5 保险丝电阻器的符号型、RRD0910 型、RRD0911 型等。

2、敏感电阻器

是指其电阻值对于某种物理量(如温度、湿度、光照、电压、机械力、以及气体浓度等)具有敏感特性，当这些物理量发生变化时，敏感电阻的阻值就会随物理量变化而发生改变，呈现不同的电阻值。

根据对不同物理量敏感，敏感电阻器可分为热敏、湿敏、光敏、压敏、力敏、磁敏和气敏等类型敏感电阻。敏感电阻器所用的材料几乎都是半导体材料，这类电阻器也称为半导体电阻器。

热敏电阻的阻值随温度变化而变化，温度升高阻为负温度系数(NTC)热敏电阻。应用较多的是负温度系数热敏电阻，又可分为普通型负温度系数热敏电阻稳压型负温度系数热敏电阻测温型负温度系数热敏电阻等。 光敏电阻是电阻的阻值随入射光的强弱变化而改变，当入

射光增强时，光敏电阻的减小，入射光减弱时电阻值增大。

按伏安特性分类

对大多数导体来说，在一定的'温度下，其电阻几乎维持不变而为一定值，这类电阻称为线性电阻。有些材料的电阻明显地随着电流(或电压)而变化，其伏—安特性是一条曲线，这类电阻称为非线性电阻。

非线性电阻在某一给定的电压(或电流)作用下，电压与电流的比值为在该工作点下的静态电阻，伏—安特性曲线上的斜率为动态电阻。表达非线性电阻特性的方式比较复杂，但这些非线性关系在电子电路中得到了广泛的应用。

按材料分类

a、线绕电阻器由电阻线绕成电阻器 用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成，外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆。绕线电阻具有较低的温度系数，阻值精度高，稳定性好，耐热耐腐蚀，主要做精密大功率电阻使用，缺点是高频性能差，时间常数大。

b、碳合成电阻器由碳及合成塑胶压制成而成。

c、碳膜电阻器在瓷管上镀上一层碳而成，将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度系数和电压系数低，是目前应用最广泛的电阻器。

d、金属膜电阻器在瓷管上镀上一层金属而成，用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。

金属膜电阻比碳膜电阻的精度高，稳定性好，噪声，温度系数小。在仪器仪表及通讯设备中大量采用。

e、金属氧化膜电阻器在瓷管上镀上一层氧化锡而成，在绝缘棒上沉积一层金属氧化物。由于其本身即是氧化物，所以高温下稳定，耐热冲击，负载能力强 按用途分，有通用、精密、高频、高压、高阻、大功率和电阻网络等。

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