半导体二极管伏安特性曲线

半导体二极管伏安特性曲线,第1张

半导体二极管的核心是PN结,它的特性就是PN结的特性——单向导电性。用实验的方法,在二极管的阳极和阴极两端加上不同极性和不同数值的电压,同时测量流过二极管的电流值,就可得到二极管的伏一安特性曲线。该曲线是非线性的,如图1-13所示。正向特性和反向特性的特点如下。

                     

    1.正向特性

    当正向电压很低时,正向电流几乎为零,P89LPC954FBD这是因为外加电压的电场还不能克服PN结内部的内电场,内电场阻挡了多数载流子的扩散运动,此时二极管呈现高电阻值,基本上还是处于截止的状态。如图1 - 13所示,正向电压超过二极管开启电压Uon(又称为死区电压)时,电流增长较快,二极管处于导通状态。开启电压与二极管的材料和工作温度有关,通常硅管的开启电压为Uon=0.5V(A点),锗管为Uon=0.1 V(A'点)。二极管导通后,二极管两端的导通压降很低,硅管为0. 6~0.7 V,锗管为0.2~0.3 V如图1-13中B、B'点。

    2.反向特性

    在分析PN结加上反向电压时,已知少数载流子的漂移运动形成反向电流。因少数载子数量少,且在一定温度下数量基本维持不变,因此,厦向电压在一定范围内增大时,反向电流极微小且基本保持不变,等于反向饱和电流Is。

    当反向电压增大到UBR时,外电场能把原子核外层的电子强制拉出来,使半导体内载流子的数目急剧增加,反向电流突然增大,二极管呈现反向击穿的现象如图1-13中D、D'点。二极管被反向击穿后,就失去了单向导电性。二极管反向击穿又分为电击穿和热击穿,利用电击穿可制成稳压管,而热击穿将引起电路故障,使用时一定要注意避免二极管发生反向热击穿的现象。

    二极管的特性对温度很敏感。实验表明,当温度升高时,二极管的正向特性曲线将向纵轴移动,开启电压及导通压降都有所减小,反向饱和电流将增大,反向击穿电压也将减小。

如图所示:

在multisim中可以用交流电源,用二极管对交流电源进行半波整流,并加上负载。把二极管与负载的公共点设为地,把负载上的电压信号(与二极管中的电流成正比,可以把负载电阻作为电流取样电阻)接到A通道。

把二极管上的电压信号接到B通道。切换到A/B模式就可以观察到二极管的伏安特性曲线了。

分析:曲线OAB段是正向特性曲线,OA段的电压被称为死区电压,在这-+范围内电流随电压的变化很小,属于高阻区,二极管还没有完全导酒:

AB段是二极管导通后的变化情况,一开始电流随电压的变化以较快的速度增加,但当到达B点以后虽然电压只有微小的变化,电流的变化却极快,反过来说不管电流怎样增加电压都基本不变,这就是所调的“正向导通压。

扩展资料:

Multisim中仪器仪表的使用:

Multisim的虚拟仪器仪表,大多与真实仪器仪表相对应,虚拟仪器仪表面板与真实仪器仪表相面板类似,有数字万用表、函数信号发生器、双通道示波器等常规电子仪器,还有波特图仪、失真度仪、频谱分析仪等非常规仪器。

用户可根据需要测量的参数选择合适的仪器,将其拖到电路窗口,并与电路连接。在仿真运行时,就可以完成对电路参数量的测量,用起来几乎和真的一样。由于仿真仪器的功能是软件化的,所以具有测量数值精确、价格低廉、使用灵活方便的优点。

一、电压表。

电压表图标如图所示。电压表的两个接线端有四种连接方式可供选择。电压表用于测量电路两点间的交流或直流电压,它的两个接线端与被测量的电路并联连接,当测量直流电压时,电压表两个接线端有正负之分,使用时按电路的正负极性对应相接,否则读数将为负值。

当测量直流电压时显示数值为平均值,当测量交流电压时显示数值为有效值。


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