氮化镓是什么晶体？

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GaN的晶体结构主要有两种，分别是纤锌矿结构与闪锌矿结构。

GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个元胞中有4个原子，原子体积大约为GaAs的一半。因为其硬度高，又是一种良好的涂层保护材料。

氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。

氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下，产生紫光（405nm）激光。

合成方法

1、即使在1000℃氮与镓也不直接反应。在氨气流中于1050～1100℃下加热金属镓30min可制得疏松的灰色粉末状氮化镓GaN。加入碳酸铵可提供气体以搅动液态金属，并促使与氮化剂的接触。

2、在干燥的氨气流中焙烧磨细的GaP或GaAs也可制得GaN。

氮化镓和氮化钾的区别主要有：

1、不同的化学成分：氮化镓是镓元素与氮原子结合而成，而氮化钾是钾元素与氮原子结合而成。

2、不同的物理性质：氮化镓在空气中容易氧化，表面有白银色膜，沉淀条件较为严格；而氮化钾在空气中容易被水解，表面没有明显外壳，沉淀条件比较宽松。

3、不同的应用领域：氮化镓多用于制作抱杆电阻、氧化铝粉、催化剂中；而氮化钾偏用于硝酸和氯酸的反应，同时也可以用于水处理、有机合成等。

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