为什么氧化锡是N型半导体

正常的SnO2中，锡(Sn)的外层(5s25p2)总共4个电子给出来和2个氧(O)最外层(2s2p4)形成化学键。通过掺杂，在SnO2中形成氧空位，这样一部分锡的电子就多出来，具有一定的导电能力。而电子是多子的半导体材料称为N型半导体材料。

不是半导体

氧化铟锡 (ITO，或者掺锡氧化铟)是一种铟（III族）氧化物 (In2O3) and 锡（IV族）氧化物 (SnO2)的混合物，通常质量比为90% In2O3，10% SnO2。它在薄膜状时，为透明无色。在块状态时，它呈黄偏灰色。氧化铟锡主要的特性是其电学传导和光学透明的组合。然而，薄膜沉积中需要作出妥协，因为高浓度电荷载流子将会增加材料的电导率，但会降低它的透明度。氧化铟锡薄膜最通常是用电子束蒸发、物理气相沉积、或者一些溅射沉积技术的方法沉积到表面。

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