前缀一般代表生产、研发厂家、后面紧跟着是数字序号,代表具体型号,再后面是后缀,一般代表封装和温度性能(商品级、工业级、汽车级、军用级)。
IRF3205S是使用D2PaK封装,IRF3205L是TO262封装,这两个其他性能是一样的。其他参数VDSS=55V,RDS(on)=8毫欧,ID=110A,这些都是工业级的。
而IRF3205Z是汽车级的IRF3205,Z是汽车级(AUTOMOTIVE )的代称,它的参数跟工业级不同(主要是温度性能上),VDSS = 55V,RDS(on) = 6.5mΩ,ID=75A。汽车级的质量要高于工业级,它更注重严酷温度条件下,器件性能的稳定性。
如果你对器件pdf看得多,可以发现,IRF公司的场管,如果没有后缀,大部分都是TO220AB的,这也是基本型。带S的,是D2Pak封装,包括3205S和3205ZS,带L的都是TO262封装,包括3205L和3205ZL。稍微多查几个,规律就自然显现出来了。
可以用75N75。 IRF1010E的数据是60V,84A,12mΩ,而75N75是75V,75A,12.5mΩ。两者数据相差不大,如果机器的最大电流不超过75A的话可以替换。可以混用。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管(简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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