半导体材料和光导纤维？

半导体材料就是所谓的单晶硅。单晶硅就是晶体类型唯一的硅晶体。我们平时遇到的物体比如铁块，看上去方方正正的，但是微观上它是多种晶体类型混在一起的。生活中的晶体一般都是多晶型的。而制作半导体器件用的硅应为工业的要求必须是单一晶型的。制作太阳能电池的单晶硅要求低一些，纯度6个9，也就是小数点后6个9。而制作集成电路板的单晶硅要求高一点，至少是9个9。 光导纤维就是我们说的光纤，光纤传导是下一代传导主流。主要材料是二氧化硅，其实就是类似我们的玻璃，把它做成很细很细的丝状。玻璃的透光性很好。 我就是学半导体材料的，而且主要是单晶硅。看到了就顺便把我知道的告诉你。我也是刚刚步入这个专业，知道的还不太深，反正大致就是这个意思了。

丝状金和黄金的区别是：

丝状金，具有纯金的良好延展性，能方便地加工成各种规格的金丝产品。

直径1mm以下的丝状金。纯金具有良好的延展性，能方便地加工成各种规格的金丝供饰品、牙科材料及一些工业部门应用，一般可分为普通金丝与键合金丝。

在集成电路和半导体器件中，键合金丝作为连接引线将半导体芯片与外部连接起来，这种连接是依靠热压球焊或超声腊煮悼阿热压球焊完成的，所以这种金丝又称为球焊金丝。由于集成电路生产的特点，这种连接要求高速可靠地完成，高速自动键合机每秒能完成4～8条连线。键合金丝在世界各国都作为重要的高技术产品。

黄金则包括足金和k金，它们都属于贵金属。只是含金量不同，制作而成的首饰价格和纯度也各不相同。

如果带电体的静电势或存储的静电能量较低，或ESD回路有限流电阻存在，一次ESD脉冲不足以引起器件发生突发性完全失效，但它会在器件内部造成轻微损伤，这种损伤又是积累性的。随着ESD脉冲次数增加，器件的损伤阈值电压逐渐下降，器件的电参数逐渐劣化，这类失效称为潜在性失效。潜在性失效的表现往往是器件的使用寿命缩短，或者一个本来不会使器件损伤的小脉冲却使该器件失效。潜在性失效降低了器件抗静电的能力，降低了器件的使用可靠性。半导体器件潜在性失效主要表现为：

(1)栅氧化层损伤

MOS栅氧化层受到ESD的作用，会产生细微损伤，有时会导致栅极泄漏电流少量增加。这种情况的发生可能是由于放电时形成丝状铝硅合金，该合金尚不能跨接整个栅氧化物，使得受损的氧化层击穿电压降低，在使用时就可能由于低能量EOS或者ESD使得已经受损的氧化层击穿，从而使器件失效。栅氧化层的击穿机理，目前认为可分为两个阶段:

第一阶段是建立阶段，或称为磨损阶段。在电应力作用下，氧化层内部及Si-SiO2界面处发生缺陷(陷阱、电荷)的积累，积累的缺陷达到某一程度后，使局部区域的电场(或缺陷数)达到某一临界值，转入下一阶段：

第二阶段是在热、电正反馈作用下，迅速使氧化层击穿的过程。栅氧寿命主要由第一阶段中的建立时间所决定。对电应力下氧化层中及界面处产生的缺陷，一般多认为是电荷引起的，对电荷的性质，主要有二种理论模型:负电荷积累模型和正电荷积累模型(此处不作详细说明)。

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