目前晶体管图示仪都有哪些牌子?

比如韩国的思达特，美国的STI，泰克，ITC，IST，吉时利，安捷伦，福禄克，日本的岩崎，TESEC，CATE，JUNO友能，国产的西安易恩电气ENJ2005-C。这是我查的一些关于ENJ2005-C的具体资料：

西安易恩电气 EN-2005C是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统，本系统可自动生成功率器件的I-V曲线，也可根据客户的实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统在失效分析，IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究，是一款高效多功能的高端半导体测试设备。

测试范围 / 测试参数

01

二极管

DIODE

IR；BVR ；VF

02

晶体管

（NPN型/PNP型）

ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；

BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF

03

J型场效应管

J-FET

IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；

IDSS；GFS；VGSOFF

04

MOS场效应管

MOS-FET

IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；

VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS

05

双向可控硅

TRIAC

VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-

06

可控硅

SCR

IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；

IGT；VGT；IL；IH

07

绝缘栅双极大功率晶体管

IGBT

ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；

VGEON；VF；GFS

08

硅触发可控硅

STS

IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ；

VPK-；VGSW+；VGSW-

09

达林顿阵列

DARLINTON

ICBO； ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；

BVCER；BVCEE；BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ；

VCESAT； VBESAT；VBEON

10

光电耦合

OPTO-COUPLER

ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；

CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)

11

继电器

RELAY

RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME

12

稳压、齐纳二极管

ZENER

IR；BVZ；VF；ZZ

13

三端稳压器

REGULATOR

Vout；Iin；

14

光电开关

OPTO-SWITCH

ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF

15

光电逻辑

OPTO-LOGIC

IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF

16

金属氧化物压变电阻

MOV

ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；

17

固态过压保护器

SSOVP

ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、

IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ-

18

压变电阻

VARISTOR

ID+； ID-；VC+ ；VC-

19

双向触发二极管

DIAC

VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 集电极、发射极间电压（符号：VCES）：栅极、发射极间短路时的集电极，发射极间的最大电压。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 栅极发极间电压（符号：VGES ）：集电极、发射极间短路时的栅极，发射极间最大电压。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 集电极电流（符号：IC ）：集电极所允许的最大直流电流。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 耗散功率（符号：PC）：单个IGBT所允许的最大耗散功率。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 结温（符号：Tj）：元件连续工作时芯片温厦。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 关断电流（符号：ICES ）：栅极、发射极间短路，在集电极、发射极间加上指定的电压时的集电极电流。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 漏电流（符号：IGES ）：集电极、发射极间短路，在栅极、集电极间加上指定的电压时的栅极漏电流。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 饱和压降（符号：V CE（sat） ）：在指定的集电极电流和栅极电压的情况下，集电极、发射极间的电压。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 输入电容（符号：Clss ）：集电极、发射极间处于交流短路状态，在栅极、发射极间及集电极、发射极间加上指定电压时，栅极、发射极间的电容。

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