三极管的2TY、J3Y各是什么意思？

2TY是PNP，J3Y是NPN，8050可以用9014，贴片三极管厂家不同丝印字都不一样，用万用表打到测量二极管档位，NPN用红表笔接到B脚，再用黑表笔分别测C和E脚，看显示都在几百的数字是好的，NPN用黑表笔接到B脚，再用红表笔分别测C和E脚，看显示都在几百的数字是好的

半导体三极管(Bipolar Junction Transistor)，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。

晶体三极管，是半导体基本元器件之一，也是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。

中国半导体器件型号命名方法

半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：

第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管

第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管

（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号

第五部分：用汉语拼音字母表示规格号

例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

三极管2N5401是PNP小功率三极管,可与2N5550/2N5551 NPN管做互补对称管。

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。

扩展资料：

晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子。

在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。

参考资料来源：百度百科-三极管

型号黑鲨冰封制冷背夹标准版里面的芯片一般三个月左右需要换新。

黑鲨冰封制冷背夹（标准版）的散热原理是采用半导体晶片制冷，超大面积制冷晶片可实现快速降温效果以及温控稳定性。

型号的使用。通常是以产品的一种或几种具有代表性的特性为主，对产品作出的代号性的表示，不同型号产品的功用可以是相同的也可以是不同的，相同功用的产品对于不同的生产厂商而言也可以使用不同的型号，即使技术参数完全相同，但不同厂家的型号可以不同。另一种情况：对于同一生产商，功用相同而型号不同的系列产品，通常其型号的使用必须遵守事先制订好的技术文件中约定的准则，这种情况下，每一型号产品的基本功用（或声明用途）必须是相同的，但可以基于配置和附件等诸方面的不同，在产品的附加和扩展功能上可以存在区别。通常，国家标准、行业标准或地方标准中不强行规定产品的通用型号。

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