半导体中载流子在运动过程中为什么会遭到散射

我认为在未与N型半导体结合前，P型半导体当中的少数载流子是P型本身掺杂进去的3价元素导致的共价键不平衡而引发的少数自由电子，它们紊乱的在空穴中填充。当P型与N型接触时，P型中的少数载流子（电子）继续填充P型中的空穴，而N型中的多数载流子（电子）也趋向于向浓度低的P型中填充空穴，于是填充后使P型中3价元素的共价键稳定(固定负离子)，N型中5价元素的共价键也稳定(固定正离子)，此时这些稳定的掺杂元素所在区域就形成PN结（空间电荷区），而两侧(远离)PN结处的P型还是有很多空穴、N型还是有很多载流子。此时PN结形成的空间电荷区产生一个由N指向P的电场，该电场吸引P型中的少数载流子（自由电子）流向N结，吸引N型中的少数空穴流向P结，这些少子（本征载流子）的移动（漂移）就形成了漂移电流，也就是漏电流。

散射载流子的原因是附加势能。在极性半导体中,因为纵光学波能够产生局部正、负电荷的积累，即形成局部电场，从而可造成电子势能在空间上的变化——附加势能，所以散射载流子。

而横光学波不能产生局部正、负电荷的积累，即不能形成局部电场，从而不能造成电子势能在空间上的变化——附加势能，所以不散射载流子。

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