![半导体中载流子在运动过程中为什么会遭到散射,第1张 半导体中载流子在运动过程中为什么会遭到散射,第1张](/aiimages/%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E4%B8%AD%E8%BD%BD%E6%B5%81%E5%AD%90%E5%9C%A8%E8%BF%90%E5%8A%A8%E8%BF%87%E7%A8%8B%E4%B8%AD%E4%B8%BA%E4%BB%80%E4%B9%88%E4%BC%9A%E9%81%AD%E5%88%B0%E6%95%A3%E5%B0%84.png)
我认为在未与N型半导体结合前,P型半导体当中的少数
载流子是P型本身掺杂进去的3价元素导致的共价键不平衡而引发的少数自由电子,它们紊乱的在
空穴中填充。当P型与N型接触时,P型中的少数载流子(电子)继续填充P型中的空穴,而N型中的多数载流子(电子)也趋向于向浓度低的P型中填充空穴,于是填充后使P型中3价元素的共价键稳定(固定负离子),N型中5价元素的共价键也稳定(固定正离子),此时这些稳定的掺杂元素所在区域就形成PN结(空间电荷区),而两侧(远离)PN结处的P型还是有很多空穴、N型还是有很多载流子。此时PN结形成的空间电荷区产生一个由N指向P的电场,该电场吸引P型中的少数载流子(自由电子)流向N结,吸引N型中的少数空穴流向P结,这些少子(本征载流子)的移动(漂移)就形成了漂移电流,也就是漏电流。散射载流子的原因是附加
势能。在极性半导体中,因为纵光学波能够产生局部正、负电荷的积累,即形成局部电场,从而可造成电子势能在空间上的变化——附加势能,所以散射载流子。
而横光学波不能产生局部正、负电荷的积累,即不能形成局部电场,从而不能造成电子势能在空间上的变化——附加势能,所以不散射载流子。
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