俄歇复合速率与哪些因素有关

跟固体里载流子的浓度有关，还跟半导体的搀杂程度有关。一句话，跟半导体里的能带结构有关。半导体中，无论是直接复合、间接复合，还是激子复合，都会有动量和能量的吸收或释放，根据跃迁释放或者吸收能量和动量的形式，分为辐射跃迁、声子跃迁和俄歇跃迁。俄歇跃迁相应的复合过程可以称为俄歇复合。俄歇效应是三粒子效应，在半导体中，电子与空穴复合时，把能量或者动量，通过碰撞转移给另一个电子或者另一个空穴，造成该电子或者空穴跃迁的复合过程叫俄歇复合。这是一种非辐射复合，是“碰撞电离”的逆过程。这种复合不同于带间直接复合，也不同于通过复合中心的间接复合（Shockley-Hall-Read复合）。Auger复合是电子与空穴直接复合、而同时将能量交给另一个自由载流子的过程。Auger复合牵涉到3个粒子的相互作用问题。通常Si中载流子的寿命决定于通过复合中心的间接复合过程（因为SHR寿命最短）。对于N型半导体，少数载流子（空穴）的Auger复合寿命与多数载流子（电子）浓度的平方成反比，即τA ∝ 1/ n。在重掺杂时，电子浓度n很大，则τA的数值很小，即俄歇复合将使得少数载流子的寿命大大降低。

影响极大，减短寿命。少子寿命是半导体材料和器件的重要参数，即少数载流子寿命。光生电子和空穴从一开始在半导体中产生直到消失的时间称为寿命。杂质和缺陷对少子寿命影响极大，减短寿命，杂质、缺陷愈多非平衡载流子消失得愈快，在复合过程中少数载流子起主导和决定的作用。会产生杂质能级，成为少子的复合中心，从而寿命降低。

因为浪涌和静电击穿半导体掺杂越多寿命越短。根据查询网上相关公开信息显示除去人为使用不当、浪涌和静电击穿等等都是导致半导体器件的寿命缩短的原因，除此之外，有些运行正常的器件也受到损害，出现元器件退化，半导体元器件失效原因不可胜数。

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