半导体中的价电子占有的能带是价带还是导带?

又是你啊．

应该是价带吧,由于原子在紧密结合的时候,分裂的能级由于轨道重叠,形成能带.而价电子是半导体原子与周围原子形成公价键时出现的.一般说,半导体导带是空的,不象金属是半满的.费米能级在禁带中,导带中电子出现的概率极低.

应该这样吧.

你是学电子的吗?

这个问题我来，我是微电子专业的。

首先，导带和价带都是能带。那么能带底就包括导带底和价带底，能带顶同理。

导带和价带如图：

Ec就是导带底所处的能级，Ev就是价带顶所处的能级。禁带宽度就是中间的Eg，是不允许电子存在的部分（禁是禁止之意）。

什么叫做导带能级简并？导带本身就是一连串准连续的能级组成的，你想要简并成什么程度？变成一个能级？不可能，除非只有一个孤立原子，且核外只有一个价电子，考虑自旋，此时能级就只有两个，如果考虑内层电子对价电子的影响，又可以继续劈裂，如果再引入外部磁场作用，又会劈裂，考虑其他外力作用等，又可以继续劈裂。

如果有多个原子，本身价电子直接就有相互作用，导带能级天然就不可能是简并的，一般晶体中都有大量价电子，也就形成准连续的能级，称为能带，导带是能带的一种。

如果施加外力，只会使能级劈裂得更多，不会简并。

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对问题补充的回答：

“当导带上电子数量明显增多时，至少应该发上导带位置的负移”~~~你推导试试~~貌似不是一件容易的事吧~~我对你这个结论表示怀疑~

现在的理论认为，由于导带上的电子本来就是极少量的（相对于价电子总数而言，举个例子，本征Si，具体数字我不去查了，估算，载流子浓度10的10次方每平方厘米，但价电子浓度10的23次方每平方厘米，相差13个数量级），全部集中在导带底附近，基本上可以用导带底的一个能级代替所有导带电子的能级，虽然能级是分立的，但由于相差很小，实际计算中是看成一个的，但并不能说能级就是简并的~

即使通过掺杂等方法使载流子浓度大几个数量级，也是远远低于价电子浓度的，而计算能级是所有电子都需要考虑进去，相互耦合的结果，少量的导带电子数量的变化对于能带位置而言，影响微乎其微，可以忽略不计。

至于检验能级简并，常用的手段有

1辐射吸收，看光谱

2磁场耦合，看电子束分裂

个人感觉，是没法检验导带电子能级变化的，因为实在是变化太小了，精度跟不上

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