第三代半导体材料都有什么？

第三代半导体材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石(C)为代表，我国从1995年开始涉足第三代半导体材料的研究。其中，碳化硅凭借其耐高压、耐高温、低能量损耗等特性被认为是5G通信晶片中最理想的衬底，氮化镓则凭借其高临界磁场、高电子迁移率的特点被认为是超高频器件的绝佳选择。需要说明的是，第三代半导体与第一代、第二代半导体之间并不是相互替代的关系。它们适用于不同的领域，应用范围有所交叉，但不是完全等同。第三代半导体有其擅长的领域，在特定的“舒适区”内性能确实是优于硅、锗等传统半导体材料，但在“舒适圈”之外，硅仍然占据王者地位

倍思氮化镓5代好。

1、已经知道氮化镓作为第三代半导体材料，其禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质，利用氮化镓制造的功率器件拥有的优势是高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强。

2、升级到第五代氮化镓技术的GaN5Pro氮化镓快充充电器65W，倍思对它进行了重新优化结构，减少元器件数量，性能和速度更加迅猛，相比上代实现同样的功率体积更小，并且你能够感受更明显的是，充电更低温。

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