rbe的计算公式

rbe的计算公式：rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}]，计算的是三极管的输入电阻。三极管全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管。

1、三极管的直流放大倍数是hFE，hFE＝直流IC/IB。2、β 是指三极管的交流电流放大倍数，β ＝输出交流电流 / 输入交流电流。3、三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

1.求IB的时候当然是电阻Rb两端的压差除以电阻值啦，即(Vcc-Ube)/Rb，这个是最基本的欧姆定律吧。

2. 而对于rbe值，有一个公式，rbe=rb+(1+β)*re.

rb指的是基区体电阻，(1+β)*re是re折算到基极回路的等效电阻(怎么折？看一下小信号模型分析就知道了）。而re=VT/IE,其中，VT在温度为300K时，等于26mV.

补充： 基区体电阻很好理解，半导体也是一种导体，就必然有阻抗值。且对于低频小功率管子，其值大约200欧。

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