前韩国总统文在寅很早在 5 月 9 日大约 10 分钟的告别演说中就提到了贸易摩擦。
“我不会忘记整个国家如何团结起来克服日本不公平的出口管制带来的危机，”文在寅说。
这些变化意味着日本企业必须单独申请氟化氢、用于极紫外光刻的光刻胶和氟化聚酰亚胺的出口许可证。
METI 表示，它只是在实施通常需要的出口程序。但韩国政府强烈谴责这些措施。韩国将其解释为对 2018 年 10 月最高法院裁决下令现在的新日铁向前韩国战时劳工支付赔偿金的经济报复。
韩国人抵制日本产品以应对出口管制。据说东京和首尔之间的关系已跌至战后最低点。
文在寅访问了韩国芯片制造材料制造商，以争取对国家自给自足的支持。他的政府每年拨出约 2 万亿韩元（按当前汇率计算为 15.5 亿美元）来资助研发，以“化危机为机遇”。
但韩国国际贸易协会的数据与文在寅的言论相矛盾。
氟化氢方面，2019 年 6 月后，从日本进口的价值大幅下降。与 2018 年相比，2020 年下降 86%，2021 年同比反d 34%。2022 年 1 月至 4 月期间，进口量同比增长 30%。
光刻胶进口量在 2020 年实现了两位数的同比增长，而氟化聚酰亚胺的进口量仅略有下降。
“除了氟化氢之外，没有任何特殊影响，”一位日本材料制造商的消息人士说。
2021 年，韩国从日本进口的最大半导体制造设备进口额同比增长 44%，达到 63 亿美元。韩国与日本的贸易逆差全面扩大。
IBK Securities 专门研究材料行业的分析师 Lee Geon-jae 表示：“现有的半导体生产线需要停止以使用替代材料，因此芯片制造商不愿采用额外的本土产品。”
在实现自给自足方面缺乏进展反映在韩国股市。Soulbrain Holdings 建立了生产国产氟化氢的品牌，其股价从 2019 年 6 月开始飙升，一度触及 70000 韩元。最近它已经跌破 20000 韩元，创下六年来的最低点。
与此同时，日本当局的行为显然引起了韩国企业的不信任。
芯片制造巨头三星电子和 SK 海力士痛苦地意识到关闭工厂的风险。这导致向可以替代日本制造材料的供应商提供财政支持和技术转让。
三星从半导体和显示器中获得近 1000 亿美元的年收入——是日本最大的芯片制造商铠侠控股的八倍。三星是日本供应商的主要客户。韩国本土材料供应链将对日本工业造成打击。
现在的焦点转移到韩国新总统尹锡烈政府的下一步行动上。6 月 16 日发布的经济议程中没有提到日本自由供应链或本地化的字眼。
尹锡烈在试图解冻双边关系时可能希望避免激怒日本。但首尔没有理由停止尝试转向国内生产。
“从经济安全的角度来看，本土的材料供应是必要的，”尹锡烈政府内部人士表示。
为韩国打下半导体产业基础的"元老"、前三星电子半导体研究所所长Kim Kwang-gyo愁云满面。Kim Kwang-gyo在接受《韩国经济新闻》采访时表示:"现在是竞争国家如何投资、技术水平如何都一目了然的'开卷'竞争时代,韩国政府似乎把半导体产业看的太轻松了"。Kim Kwang-gyo认为韩国政府层面对半导体产业的投资和支援远远不足。
Kim Kwang-gyo于1979年在三星电子设立第一个半导体研究所,并担任了4年的第一任研究所所长。到2000年代初为止,Kim Kwang-gyo历任三星电子美国普林斯顿研究所所长、韩国半导体显示器技术学会首任会长等职务。
据韩国半导体显示器学会消息，美国政府宣布，从今年开始到2026年为止，将投入105亿美元，培养半导体人才。中国台湾地区制定了每年确保1万名新半导体人才的战略。
Kim Kwang-gyo斩钉截铁地说，“韩国政府首先应该改变对半导体产业的犹豫态度。如果不能解决人力不足或产业规制问题,韩国半导体产业可能会在几年内倒闭。政府和学界等应该积极支援并推动企业发展半导体产业。"
Kim Kwang-gyo还表示，失去半导体第一的位置就等于失去了所有未来增长动力。因为智能手机、 汽车 、机器人等领域的半导体产品数量正在持续增加。预计世界半导体销售额将从去年的702万亿韩元（1人民币约合193韩元）增长到2030年的1268万亿韩元。
三星电子1974年以50万美元收购了韩国半导体,开始了半导体事业。"三星在一开始并没有做好半导体业务。" Kim Kwang-gyo回忆说，在初期,三星电子还被评价为技术能力落后于美国和日本10年以上。"当时甚至有职员说如果被调到半导体,就会辞职,半导体业务的发展环境非常恶劣。"
Kim Kwang-gyo还表示，当时三星电子向日本提出技术合作或技术引进，日方称“你们还没有达到合作的水平”。“那种被蔑视的感受，记忆犹新。”Kim Kwang-gyo回忆称，“在这种情况下，已故三星电子前会长李秉喆表示，总有一天会有机会的， 一定要拿行业第一。从那时开始三星电子集中精力进行技术、人力投资。"
Kim Kwang-gyo表示,持续的投资造就了领先的三星电子， 其中也有运气的成分。20世纪80年代，随着低利率、低油价、低韩元价值等"三低利好"的到来，三星电子半导体的地位迅速上升。
"认真准备才能抓住机会,这一点无论是上世纪7、80年代，还是现在都一样"Kim Kwang-gyo表示，要展望10年后、20年后,从现在一步一步地做准备。
《金融时报》6月26日谈到了日本的半导体人才问题，东芝、索尼等日本最大的半导体制造商警告称，政府振兴国内芯片行业之举正受到工程师短缺的威胁。
在预计出现劳动力短缺之际，日本正努力增加半导体投资，以加强经济安全，应对新冠疫情下，供应链中断和芯片短缺的问题。
上个月，一家电子行业机构在向日本经济产业省发出的呼吁中表示，截至2030年的未来五年是日本半导体行业在多年失去全球市场份额后“重新站稳脚跟的最后也是最大机会”。
日本电子信息技术产业协会表示，该行业的成功取决于能否获得足够的人才来创新和运营其芯片工厂。据估计，在未来10年，8家大型生产商将需要招聘约3.5万名工程师，以跟上投资的步伐。
日本半导体产业协会半导体委员会政策提案工作组负责人、东京科学大学教授Hideki Wakabayashi表示：“人们经常说半导体缺乏，但工程师才是最缺的。”
20世纪80年代末，日本半导体公司大手笔扩大生产，超过了美国，占据全球市场份额的一半以上。但在与华盛顿发生激烈的贸易冲突后，日本将主导地位拱手让给了韩国和中国大陆的公司。
这导致了2008年全球金融危机后工程师的大规模裁员。Hideki Wakabayashi说，这就是今天没有足够资深经验工程师的原因。
闪存制造商铠侠（JEITA工作组的一部分）的经理Toyoki Mitsui表示，大学学习半导体的学生现在倾向于加入金融机构或 科技 公司，因为芯片行业早已失去吸引力。
为了刺激创新和培养未来的员工，东芝、索尼和其他公司正在与全国最好的理科大学合作，并为芯片研究和招聘投入更多资金。
上个月，美国总统乔·拜登和日本首相岸田文雄承诺加强半导体制造能力，并在开发先进芯片方面加强合作。
台积电正与索尼联手，在南部九州岛建设一家价值86亿美元的工厂，计划为该工厂招聘约1700名工人。政府表示，将提供高达4760亿元人民币（35亿美元）的补贴。
越来越多的工厂即将投产。铠侠与其合资伙伴西部数据正斥资近1万亿日元在日本中部建造一家工厂，该工厂将于今年秋季投产。此外，其还会再拨款1万亿日元，在日本北部建造一家定于明年完工的工厂。
瑞萨电子将投资900亿日元，重启2014年关闭的一家工厂，以扩大电动 汽车 用功率半导体的生产。Recruit的顾问Kazuma Inoue指出：“直到20世纪10年代中期，日本在投资和招聘方面一直与世界其他国家存在分歧，尽管全球芯片产业规模已经翻了一番。”
然而Kazuma Inoue表示，很难找到工人。根据日本统计局发布的数据，25岁至44岁的电子元件、设备和电路从业人员数量从2010年的38万人下降到2021的24万人。
东芝电子元件部门的某高管Takashi Miyamori表示：“大多数日本理科学生对IT更感兴趣，而不一定是半导体，全球各地都在争夺最优秀的工程师，我们需要找到提高竞争力的方法。”
在6月12日在日本京都召开的2019年度"VLSI和电路技术专题研讨会上，瑞萨展示了业界首款基于65nm SOTB技术的嵌入式2T-MONOS（双晶体管-金属氧化氮氧化硅）闪存的相关测试结果。基于SOTB的新技术已在瑞萨R7F0E嵌入式控制器中所采用，该控制器专门用于能量采集应用。
2003年由日立和三菱电机合并成立了瑞萨电子。
2010年4月1日，NEC电子和瑞萨电子合并，成为了全球第一的MCU供应商，也是SoC系统晶片与各式类比及电源装置等先进半导体解决方案的领导品牌之一。在成立之时一跃成为全球第三大半导体公司，仅次于英特尔和三星。
然而瑞萨电子合并后的几年路走的并不顺，从成立时的全球半导体老三的位置一路挣扎，在2014年跌出了全球前十。
2016年，瑞萨开始下注 汽车 行业，并以32亿美元收购Intersil，引入了模拟与混合信号芯片产品线，盈利才逐渐上来。2017年，瑞萨占据了全球20%的MCU市占率。
去年9月11日，瑞萨宣布以约67亿美元收购美国模拟芯片大厂IDT，这个收购被认为是为了应对 汽车 领域的老对手NXP的威胁。在智能手机市场增长下滑的今天，预计 汽车 市场将是未来半导体厂商最大的细分市场。然而在2018年，意法半导体(STMicroelectronics)、英飞凌(Infineon)和NXP的 汽车 业务收入均出现增长，而瑞萨(Renesas)的 汽车 业务收入却较2017年有所下降。
与最接近的竞争对手相比，瑞萨是唯一一家在2018年 汽车 业务营收出现下滑的供应商，这不仅让人感觉到一丝意外
瑞萨电子中国董事长真冈朋光认为，瑞萨在2018年已经预计到了市场需求疲软的现状，同时也根据需求下滑进行了相对应的措施，如调整工厂产能。此外这不仅仅是瑞萨电子一家企业的事情，还需要跟代理商和销售渠道不断的加强沟通。"我们的客户对市场的未来也比较谨慎。因为不由厂商控制的情况太多了，比如现在的中美贸易摩擦的问题，没有人能预计到，但就是发生了。"真冈朋光认为，中美贸易摩擦这种不可控的事情发生，对瑞萨的客户影响是很明显的，因此瑞萨需要不断调整自己去适应市场的变化。
目前对于瑞萨来说，最重要的事情是尽快适应与IDT的并购，以及实现"1+1大于2"的效果。
据IDT的财报，近些年其毛利率在60%以上，2014—2018年复合增长率更是高达14.8%，而且其技术和产品恰好符合瑞萨电子下注的 汽车 业务，其数据中心与通信基础设施也会为瑞萨开辟更大的市场。2019年瑞萨与IDT的收购案终于达成，瑞萨也一跃成为日本最大的半导体公司。
目前瑞萨全球销售额7600亿日元，全球19000员工。从财报来看，瑞萨电子收入7570亿日元。
"面向 汽车 电子的半导体产品是瑞萨的代表业务。从应用领域来看， 汽车 领域销售额约占总销售额的一半，很难找到一辆完全不使用瑞萨电子产品的 汽车 。"——这是瑞萨电子中国董事长真冈朋光在今年举行的CITE中国信息博览会上的发言。
汽车 市场当然是瑞萨最重要的市场之一。根据srategy Analytics2018提供的数据，瑞萨电子在2017年的 汽车 MCU/SOC市场份额众，包括动力总成、xEV、车身、底盘与安全、信息 娱乐 &仪表相关的车用芯片均排名第一。
此外，2017年瑞萨发布了一个ADAS及自动驾驶平台Renesas Autonomy，同时发布的还有R-CarV3M SoC，该芯片配有2颗ARM CortexA53、双CortexR7锁步内核和1个集成ISP，可满足符合ASIL-C级别功能安全的硬件要求，能够在智能摄像头、全景环视系统和雷达等多项ADAS应用中进行扩展。除了R-Car系列产品外，瑞萨也有针对雷达传感器的专业处理器芯片如RH850/V1R-M系列。
应该说R-Car系列是瑞萨进军自动驾驶的切入点。此前推出的第三代产品R-CarH3/M3已经具有L2等级的自动驾驶需求。只不过作为一家日系公司，瑞萨在自动驾驶领域的布局显得异常低调。
作为日本最大的半导体厂商，瑞萨的目标绝不仅仅是 汽车 市场，物联网市场也是瑞萨的布局重点。
5月28日，瑞萨电子2019产品及系统方案研讨会——厦门站正式召开。在此次活动上，瑞萨不仅展示了自己的多款嵌入式解决方案，还首次展示了IDT的多款物联网解决方案，以及融合了瑞萨与IDT双方技术的系统级解决方案。
瑞萨切入物联网领域，在今年重点推广的主要有两大技术：DRP技术和低功耗的SOTB技术。
提到瑞萨在物联网领域的布局，不得不提到瑞萨在今年重点推广的DRP技术和低功耗的SOTB技术。
DRP技术，简单来说就是本地的嵌入式AI解决方案，可以取代以往的云端AI计算能力。
在商汤、旷视等各大AI芯片厂商以及Nvidia、Intel、高通等传统半导体厂商纷纷布局嵌入式AI的今天，瑞萨的DRP有什么亮点呢？
据了解，瑞萨独有的DRP技术，是一种动态可编程的处理器，可以按照不同的时间把动态逻辑编程，这特别适合应用在图像处理等应用上。DRP中有AI -MAC，有大量的计算单元，可以来实现卷积运算。
此外，相比目前市场上的通用的嵌入式AI芯片，如MCU、DSP、FPGA，瑞萨DRP可以做到10~100倍的强大处理能力，而功耗则降低很多。据了解，这个DRP的主频只有60Mhz，而处理能力则比A9 MCU要快13倍。
SOTB技术，则是一种极低功耗技术，可以让MCU的电流消耗降低到传统电流的十分之一。简单来说，这种技术让不需要电池的模式成为可能。
由于采用了无掺杂的晶体管，对比传统的平面式晶体管的淤积特性变化，可以在超低电压下进行稳定的 *** 作，比如0.5伏左右。如果传统的MCU采用3V的纽扣电池供电，可能一个月后就没电了。
如果采用STB技术到MCU，由于本身需要的电流非常低，可能3μA就够了，这个功耗几乎可以忽略不计，可以实现无间断的工作。再配合低功耗的DRP嵌入式AI方案，整个系统就可以做到低时延、安全、低功耗。瑞萨电子也强调，其超低功耗的产品可保证设备10年左右不换电池，这是其技术优势所在。
陈建明部表示，SOTB技术的推广将分三步走，第一步主要是替换需要更换电池的各类MCU应用；第二步预计到2021年在蓝牙BLE中增加带SOTB功能的MCU。比如智能家电、智能楼宇等。第三步则将SOTB和E-AI技术共同加入进来，做成完整的解决方案，在农业、智能交通等领域都可以用到。
在6月12日在日本京都召开的2019年度"VLSI和电路技术专题研讨会上，瑞萨展示了业界首款基于65nm SOTB技术的嵌入式2T-MONOS（双晶体管-金属氧化氮氧化硅）闪存的相关测试结果。基于SOTB的新技术已在瑞萨R7F0E嵌入式控制器中所采用，该控制器专门用于能量采集应用。与非SOTB 2T-MONOS闪存（约需50μA/MHz读取电流）相比，新技术实现的读取电流仅6μA/MHz左右，等效于0.22 pJ/bit的读取能耗，达到MCU嵌入式闪存最低能耗级别。这项新技术还有助于在R7F0E上实现20μA/MHz的低有效读取电流，达到业界最佳。
值得一提的是，能量收集技术的迅猛发展，使智能穿戴设备的自我供能有望成为现实。比如手环、耳机等可穿戴设备目前受限最大的就是功耗问题，而瑞萨下一步将在蓝牙BLE中增加带SOTB功能的MCU，很明显穿戴产品将大大受益。
我们有理由展望不久的未来，采用瑞萨的SOTB技术的能量采集系统将在智能手表等穿戴类设备中大显神威。
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