若尔斯-阿尔费罗夫，来自俄罗斯圣彼得堡约飞物理技术学院，1930年3月15日出生于白俄罗斯的维捷布斯克，1952年毕业于列宁格勒的乌里扬诺夫电子技术学院电子系。自1953年起，他一直担任约飞物理技术学院科学委员会委员。他曾经获得物理学和数学博士学位，并于1970-1971年间成为美国伊利诺伊大学访问学者。从1962年起，他一直致力于半导体异质结构的研究，任约飞学院院长若尔斯-阿尔费罗夫简介，俄罗斯科学院副院长。
他获得了两个科学学位：1961年技术科学候选人以及1970年物理数学博士学位-两个学位都是Ioffe研究所授予的。在1970-1971年度，他作为访问学者在美国伊利诺斯大学学习进修。自1962年开始若尔斯-阿尔费罗夫简介，他致力于III-V半导体异质结构领域的研究。他对物理学和III-V半导体异质结构技术，特别是在喷射特性、激光器的开发、太阳能电池、发光二极管、取向方法等方面作出了杰出贡献。现代异质结构物理学和电子学因此而创立。由于他在这方面所取得的成就，阿尔费罗夫教授获得苏联、俄罗斯与国际许多奖项和荣誉会员称号以及2000年的诺贝尔奖。
1990年，阿尔费罗夫教授被选为苏联科学院(后改名为俄罗斯科学院)的副院长，仍担任此职。
阿尔费罗夫著有4本专著，发表了500多篇科学论文，在半导体技术方面有着50多项发明。
有一颗小行星是以若尔斯?阿尔费罗夫的名字命名的(2001年)。
瑞典皇家科学院宣布，俄罗斯科学家泽罗斯·阿尔费罗夫、美国科学家赫伯特·克勒默和杰克·基尔比，因在“信息技术方面的基础性工作”而获本年度诺贝尔物理学奖。
瑞典皇家科学院发布的新闻公报说，三位科学家“通过发明快速晶体管、激光二极管和集成电路”，为现代信息技术奠定了坚实基础。其中，阿尔费罗夫和克勒默将分享今年一半的诺贝尔物理学奖奖金，以表彰他们在半导体异质结构研究方面的开创性工作。基尔比则因在发明集成电路中所作的贡献，而获得了总额为900万瑞典克朗（约合100万美元）的奖金的另一半。
现代信息技术近几十年深刻改变了人类社会，它的发展必须具备两个简单但又是基本的先决条件：一是快速，即短时间里传输大量信息；二是体积小，携带起来方便，在任何场合都能使用。三位科学家的成果满足了这两个要求。
阿尔费罗夫与克勒默为满足上述第一个先决条件作出了重要贡献。他们发明的半导体异质结构技术，已广泛应用于制造高速光电子和微电子元件。所谓异质结构半导体，主要由很多不同带隙的薄层组成。通信卫星和移动电话基站等都采用了异质结构技术制造的快速晶体管。利用异质结构技术制造的激光二极管，也使光纤电缆传输因特网信息得以实现。半导体异质结构技术还可用于制造发光二极管，汽车刹车灯和交通灯等都用到发光二极管，常用的电灯在未来也有可能被发光二极管取而代之。
富兰克林学会Ballantyne奖章(美国，1971年)；
列宁奖(苏联，1972年)；Hewlett-Paccard欧洲物理学奖(1978年)；
国家奖(苏联，1984年)；GaAs及相关化合物国际研究会奖及Heinrich Welker奖章(1987年)；
A. P. Karpinskii奖(德意志联邦共和国，1989年)；
A. F. Ioffe 奖(俄罗斯科学院，1996年)；Demidov奖(俄罗斯联邦，1999年)；
A. S. Popov 奖章(俄罗斯科学院，2000年)；
Nick Holonyak Jr. 奖(美国光学学会，2000年)；
诺贝尔奖(瑞典，2000年)；Kyoto奖(Inamori基金会，日本，2001年)；
国家奖(俄罗斯联邦，2001年)；
V.I. Vernadskiy奖(乌克兰国家科学院，2001年)；
金盘奖(美国成就学院，2002年)；
国际光学工程学会金质奖章(国际光学工程学会，2002年)；
全球能源奖(俄罗斯联邦，2005年)
阿尔费罗夫和克勒默发明了用于快速光电和微电子元件的半导体异质结构技术。异质结构是由具有不同禁带宽度的半导体材料薄层构成（如砷化镓、铝镓砷化合物、磷化铝、铝镓砷磷化合物、硅、锗硅合金等）。这些薄层，可薄至单原子层，也可厚至几个微米。通常人们用晶体结构互相匹配的材料构成异质结构。
异质结构技术非常重要。通信卫星和移动电话基站等采用了异质结构技术制造的快速晶体管。利用异质结构技术制造的激光二极管，可应用于光纤通讯网络和光数据存储（CD和DVD）。半导体异质结构技术还可用于制造发光二极管，汽车刹车灯和交通灯等都用到发光二极管。异质结构对科学研究也具有非常重要的意义，在半导体接触层中形成的二维电子气所具有的特性是研究量子霍尔效应的出发点。
基尔比是集成电路的发明者之一，第一块集成电路就由他研制成功。由于集成电路的发明，微电子已成为所有现代技术发展的基础。由于微电子技术的广泛应用，电子设备的体积大大缩小，功能和速度大大加强，对环境的污染也得到减轻。
为了进一步鼓励国内半导体产业创新发展，打破国外垄断，实现技术自主，我国从“十五”至“十四五”规划期间，均出台了一系列支持和引导该行业的政策法规。
2016年的“十三五”规划中提出，重点发展第三代半导体芯片和硅基光电子、混合光电子、微波光电子等器件的研发与技术的应用。
2021年“十四五”规划中提出，集成电路方面，注重集成电路设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发。其中，“新型显示与战略性电子材料”重点专项里面特别强调，第三代半导体是其重要内容，项目涵盖新能源汽车、大数据应用、5G通讯、Micro-LED显示等关键技术。
中国在半导体领域投入的研发有多大？
中国在半导体领域投入的研旦春首发是非常大的，根据相关机构做的数据统计，每一年，国内的科技公司几乎在半导体领域投入了几十亿的资金，用于对半导体的研发，这么大的资金投入使得近几年以来，我国对于半导体的研究更加深入。而且，为了能够更好的弄清楚半导体结构和原理，我国联合多所重点大学一起联合攻关，专门培养一些研究电子产品的专业人才，毕业后将他们送到这些半导体模数研发中心，从事专业的科技研发工作，可以说，我国对于半导体的投入，不论是人力，还是物力都是非常的大的。
总结：随着社会生活的发展，我们越来越发现，科技越是发展，我们的生活就会变得越来越好，我们的经济发展就会变得越来越快。社会的高速发展离不开科技发展的推动，可以说，科学技术有着巨大的生产力。
法律依据：《中华人民共和国出口管制法》
第二条国家对两用物项、军品、核以及其他与维护国家安全和利益、履行防扩散等国际义务相关的货物、技术、服务等物项（以下统称管制物项）的出口管制，适用本法。前款所称管制物项，包括物项相关的技术资料等数据。本法所称出口管制，是指国家对从中华人民共和国境内向境外转移管制物项，以及中华人森御民共和国公民、法人和非法人组织向外国组织和个人提供管制物项，采取禁止或者限制性措施。
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