如何用霍尔效应判断n型半导体和p型半导体

根据霍尔效应原理，在满足电流方向垂直于与磁场线方向，载流子会受洛伦兹力的影响，（洛伦兹力的方向都垂直于电流，电场力的方向，且方向由左手定则判断，左力右电吧这个方法），故在这两个相反的方向的面上，会形成霍尔电压。若载流子带正电荷，则为p型半导体（空穴型），若为负电荷，则为n型半导体（电子型）。

当Is与Im都为正值时，霍尔电压Vh为正则为p型。为负是n型

霍尔效应可以测定载流子浓度及载流子迁移率等重要参数，以及判断材料的导电类型，是研究半导体材料的重要手段。

还可以用霍尔效应测量直流或交流电路中的电流强度和功率以及把直流电流转成交流电流并对它进行调制、放大。用霍尔效应制作的传感器。

扩展资料：

在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体。由P型半导体或N型半导体单体构成的产品有热敏电阻器、压敏电阻器等电阻体。由P型与N型半导体结合而构成的单结半导体元件，最常见的是二极管；此外，FET也是单结元件。

参考资料来源：百度百科-P型和N型半导体

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