Maximum Semiconductor Inc.是一家系统集成功率半导体设计公司,致力于提供创新型及成本节约型技术以实现最优化功率管理方案。相比于其他半导体供应商,Maximum 凭借其规模和专业水平,在客户服务方面具有绝对竞争力,可实现全方位合作伙伴关系。
主要研发团队由原任职MaximIntegrated技术执行官,高级工程总监Vito Silicolin,Power Integrations Inc.系统集成器件技术总监,AT&T贝尔实验室杰出技术骨干;Dr.Silicolin,其专注于功率沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管、高压集成电路、BCDMOS及亚微米互补式金属氧化物半导体。
此外,Dr. Silicolin还拥有超过100项的发布及待发布专利,他的发明包括横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)、WFET以及目前的领先技术——Turbo-FET trench MOSFET,2011年,Dr.Silicolin为功率半导体器件国际研讨会及系统电路 (SPSD)副主席。同时,Dr.Silicolin也是IEEE Tran Electron Device 功率半导体器件的编辑。其于英国威尔士大学获得电子工程博士学位。
Maximum不仅具备专有的器件结构和工艺技术,同时还拥有大量和持续增加的知识产权,其用在系统执行电路中的碳化硅肖特基器件,以及外围毕环芯片,可广泛用于系统集成转换效率提高,功率器件与分立器件的低成本高效提升,使得其客户和战略合作伙伴保持最强竞争力,为市场不断提供尖端产品。无论是产品还是服务,Maximum凭借丰富的研发、设计及在应用领域等方面的经验,均可实现超越对方期望的高性能。
目前产品主要有:新能源构件器件设计Chip(高效能充电放电转换碳化硅器件),系统运放解决方案,智能照明系统解决方案,工业过程控制方案(SPC) ,电源管理芯片(AC-DC/DC-DC),PFC,IGBT,Super MOSFETs, 外围闭环芯片chip器件(高压MOS,中压MOS,低压MOS,整流二极管,快恢复整流器,高效整流器,超快回复整流器,FRD,肖特基二极管,稳压二极管,瞬态电压抑制,桥式整流器,ESD保护,通用三极管,开关三极管,晶体管,单向可控硅,双向可控硅,三象限可控硅),功率模块系列chip(IGBT 整流 快恢复 晶闸管)。
望采纳,谢谢。
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