Cu2O是一种半导体材料，基于绿色化学理念设计的制取．Cu2O的电解池如图，电解总反应：2Cu+H2O=Cu2O+H2↑

A、反应2Cu+H2O═Cu2O+H2↑失电子物质的量为2mol，生成氧化亚铜1mol，所以当有0.1mol电子转移时，有0.05molCu2O生成，故A错误；

B、铜电极本身失电子，发生氧化反应，故B错误；

C、铜电极是电解池的阳极，接直流电源的正极，故C错误；

D、电解总反应：2Cu+H2O

电解  .

Cu2O+H2↑，金属铜失电子，说明金属铜一定作阳极，石墨做阴极，在阴极上是溶液中的氢离子得电子，产生氢气，故D正确．

故选D．

要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度在离子晶体型氧化物半导体中，化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子，氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，Cu2O、NiO、VO2等均是该类型的P型半导体，且当它们在氧压中加热后，空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷，均称受主。简单来说就是氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，因此Cu2O是P型半导体。

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