关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题

概念上的问题首先，没有扩散能量这个概念，扩散是一种自然进行的动作，最终会达到动态平衡。而耗尽层宽度就取决于达到动态平衡状态的掺杂浓度。而耗尽层的宽度主要受到两种作用的影响，那就是多子的扩散和少子的漂移，扩散是由于浓度差的存在，漂移是因为空间电荷区的电场作用，两者达到动态平衡后耗尽层宽度就不再变化。掺杂浓度越高，耗尽区越宽，而不是越窄，浓度升高，扩散作用变强，空间电荷区变宽，同时漂移作用增强阻碍扩散，达到平衡后实际耗尽区宽度是变宽了。最后，电场强度如上所述，是会随着掺杂浓度变化的，而不是不变的

前面回答的都是什么鬼！实名反对！

没有电压就没有电流这是对的，但是扩散电流不是电势差造成的，先听好了！

半导体里面的电子原本是安静呆在原子附近的，在电压的作用下，电子有了能量就会脱离电子可以在半导体内移动，这叫电子的激发。

但是获得能量的电子一般只在电极附近产生，产生的多了挤在一起，难受啊挤不下就要向没激发的空地走，这叫电子的扩散。

大家都知道电流的实质就是电子的运动，所以电子在扩散的时候宏观就是产生了电流，这叫做扩散电流，跟电势差方向是没有关系的！没有啊亲！他们只往电子少的地方跑啊亲！

你说不是还跟电有关吗？冤枉啊！只要有能量，比如加热，光照，有些半导体还能拍打！只要有能量就能激发电子，就会有扩散电流产生。

如果题主问电子不应该沿着电场移动吗？对！的确也有这个趋势，但是这个电流叫漂移电流，就是顺着电势走了。

飘移电流和扩散电流一般是相互拮抗的，在半导体内部达到平衡。

所以并不是前面的人说的那么随便简单的好喵！-_-#

半导体掺入杂质，产生出电子为多数载流子的，叫N型半导体；如果产生出空穴为多数载流子的，就叫P型半导体。

N、P型半导体通过工艺结合到一起时，由于载流子浓度差相互扩散，在两块半导体的结合部便形成由离子相互作用形成的一个内建电场

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