半导体工艺小1纳米功耗小多少

小10%。半导体工艺把芯片从大做小，是芯片晶体管栅极宽度的大小，数字越小对应晶体管密度越大，芯片功耗越低，会小10%，性能越高，但要实际做到这一点却并不容易。从芯片的进化历史来看，芯片的研发主要遵循着摩尔定律，即每18个月到两年间，芯片的性能会翻一倍，使一块芯片内装上尽可能多的晶体管来提升芯片性能。

通常情况下大功率led单颗芯片电流为350ma

功率为1w，但单颗芯片也可以拉到3w来用，此时电流为700ma，单颗通过电流和功率过大，会导致芯片衰减厉害，所以就出现多晶cob集成led，按照串联分压并联分流的原理

1050ma/350ma=3

24v/3.4v=7，3并7串。

led芯片的功率，也看是什么封装的，不同厂家不同型号功率都不一样的，工作电压也不一样的，有些是1.8V-2V的，也有些是3.0-3.2V的，如果是照片用的，基本都是3-3.2V的，一般红、黄、绿，这三种是1.8-2V的，其它颜色是3.0-3.2V的。照明用的一般LED，一般单颗的灯珠有0.25W、0.5W、1W、3W、5W、10W、20W、30W、50W,还有都大的

芯片的功耗和封装的工艺关系不大。

我专业就是学半导体电路设计，工作是做封装的。

主要的芯片功耗，一部分是在Wafer的设计和集成度上，好的设计，能减少很多不必要的耗能，而平时我们经常说到的多少纳米工艺就是集成度的意思，也可以说是“Wafer的工艺”，更高的集成度，更合理的电路设计，就能更好的解决功耗的问题。

然后还有一部分，是在Wafer端到引脚端的功耗，这个呢，就完全的就是传输中的损耗了，引线越短，电阻越小，耗能就越少，这个和封装的工艺没关系，这个是连接线材，以及你的封装形式有关。线材比如Au/Cu/Ag/Al，他们的电阻不同，耗能就不同，至于封装形式，其实就是集成化越高，连接线就越短，耗能就越少，比如现在的WLCSP，就直接是Wafer上堆叠，Wafer上做引脚端上板，这样的能耗自然就少。

所以，功耗和封装的工艺没多大关系，和Wafer的工艺，封装的形式有关。

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