我国半导体行业背后正在面临着哪些问题呢？

面临着一些制造上的突破。

前一段时间闹得很火的事情，美国以及公司为了抑制华为公司的发展，暂停向华为提供芯片的代工服务，这让华为一下失去了芯片的来源。我国的工业发展到今天已经算是很快了。

我国在半导体的设计方面已经实现了突破，有些设计和研发几乎已经达到了先进的水平，而我国在一些半导体芯片的制造上却存在一些不足，我国自己的芯片制造厂商依靠自己的技术实现的芯片制造比世界上最先进的水平相比还差好几个档次。

美国正是看到了我国的这一不足，采取禁止向我国华为公司提供芯片代工的技术，所以遏制了华为的发展。从这一个事件就可以看出，我们的不足不在于设计，不在于研发。我们在基础的制造上有很大的不足。

所以这个就是我们目前面临的很大的问题，在半导体芯片的制造上没有自己的设备，所以这个是我们目前需要亟待解决的问题。

国家看到这个问题之后也是很快出台了自己的措施，扶持半导体行业的发展，可能我们在一些研发上实现了一些突破，但是整体还是需要再次提高，针对我们国家半导体的发展，我们不要急于求成，技术是靠一点点积累起来的，所以我们要静下心来，脚踏实地，专注于我们的研发。

当我们遇到问题也是一件好事，这也让我们看到了我们存在的不足，这个时候我们明白了我们应该做什么，有一个实现的目标，这就是很好的。对未来我国半导体的发展我们始终持积极的态度，任何苦难始终是难不倒自强不息的中国人民的，相信很快，在各种政策的扶持下，我们的半导体行业会很快发展起来。

半导体产业界著名的摩尔定律“芯片的集成度每18个月至2年提高一倍,即加工线宽缩小一半”,人们普遍认为,在这一定律描述下的时代还能延续10a.

提出该定律的摩尔本人也曾公开表示,10a之后,摩尔定律将很难继续有效,因为硅材料的加工极限一般认为是10nm线宽,受物理原理的制约,小于10nm后不太可能生产出性能稳定、集成度更高的产品.可能的替代方案是使用电子迁移率更高、尺寸更小的碳纳米管及石墨烯.二者具有相似的性质,都可以用于制作性能优良的微电子器件,以延续微电子技术的发展。

现在芯片的尺寸做的非常小，集成度非常高。需要新的材料才能满足芯片的要求。

楼主，模电刚开始学的什么PN节，三极管的工作原理是有点烦，我来说一下吧：

答案一：楼主，你要把这个半导体看成一个整体，他们扩散啊，复合啊，什么的都是他们的“内战”，若是让你测出了电压，那还不逆天了，都成电源了...这个应该能理解吧

答案二：楼主应该明白内电场是怎么产生的，是由于耗尽层的存在，其实楼主说的没错，若外加电压足够大，耗尽层是没有了，也没有内电场了，那就是击穿了，也不再是二极管了...

答案三：楼主可以这么认为（我以前就这么想的），外加反电压，负极结P区，电子把空穴复合了，正极接N区，电子减少，使得耗尽层变长，不导电啊...

楼主若还有什么问题再联系吧，不过我实话，你看到后面，发现前面的这种粒子材料问题，基本用不上，所以不要太耗时间在这个上面，若楼主还是纠结于此，可以借一本半导体材料书籍好好看看...还有楼主看完答案，记得采纳问题，不是赞成...

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