掺杂半导体中本征载流子和少数载流子的关系

成立

本征载流子是无杂质时半导体的载流子浓度，且n=p=ni，且np=ni平方。

而有杂质时np=ni平方仍成立，以n为多子，注，此时无本征载流子ni，都是热平衡载流子n0，p0。它们乘积=无杂质时ni平方。

载流子浓度单位是个／每立方米，或者写成／m³,（其中m³可以换成立方厘米）。

定义：

单位体积的载流子数目。在室温无补偿存在的条件下等于电离杂质的浓度。

处于热平衡状态的半导体，在一定温度下，载流子浓度是一定的。这种处于热平衡状态下的载流子浓度称为平衡载流子浓度。

平衡电子浓度和空穴浓度，在非简并情况下，它们的乘积满足n0p0=ni2。

载流子

在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。

在半导体物理学中，电子流失导致共价键上留下的空位（空穴引）被视为载流子。

金属中为电子，半导体中有两种载流子即电子和空穴。在电场作用下能作定向运动的带电粒子。

如半导体中的自由电子与空穴，导体中的自由电子，电解液中的正、负离子，放电气体中的离子等。

半导体导电是通过载流子进行的，载流子数量越多，导电性能越好，也就是电阻率越低。

温度上升时，半导体电子热运动活动剧烈，能量增加，由价带顶跃迁到导带底所需要的外界能量降低（半导体载流子是由价带顶的空穴和导带底的电子确定的），所以半导体带隙降低，Eg降低。由于ni^2=Nc*Nvexp(-Eg/2K0T)，所以Eg越低导致ni^2 越高，由于np = ni^2所以载流子随之升高。最后导致同样电压下，电流变大，反映出的是电阻率变低。

https://zhidao.baidu.com/question/1987779684801752987

我在这里也有较为详细的解释，敬请参考。

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