静电放电有哪三种模式？

常见的静电放电模式：

1. HBM，人体放电模型，即带电人体对器件放电，导致器件损坏。放电途径为：人体——器件——地。

2．MM，机器模型，即带电设备对器件放电，导致器件损坏。放电途径为：机器——器件——地。

3．CDM，带电器件模型，即带电器件直接对敌放电。放电途径为：器件——地。

4．FICDM,感应放电模型，即器件感应带电后放电。途经：电场——器件带电——地。

1.HBM：Human Body Model，人体模型：

该模型表征人体带电接触器件放电，Rb 为等效人体电阻，Cb 为等效人体电容。等效电路如下图。图中同时给出了器件 HBM 模型的 ESD 等级。

ESD人体模型等效电路图及其ESD等级

2.MM：Machine Model，机器模型：

机器模型的等效电路与人体模型相似，但等效电容(Cb)是 200pF，等效电阻为 0，机器模型与人体模型的差异较大，实际上机器的储电电容变化较大，但为了描述的统一，取 200pF。由于机器模型放电时没有电阻，且储电电容大于人体模式，同等电压对器件的损害，机器模式远大于人体模型。

ESD机器模型等效电路图及其ESD等级

3.CDM：Charged Device Model，充电器件模型：

半导体器件主要采用三种封装型式(金属、陶瓷、塑料)。它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中，由于管壳与其它绝缘材料(如包装用的塑料袋、传 递用的塑料容器等)相互磨擦，就会使管壳带电。器件本身作为电容器的一个极板而存贮电荷。CDM 模型就是基于已带电的器件通过管脚与地接触时，发生对地放电引起器件失效而建立的，器件带电模型如下：

ESD充电器件模型等效电路图及其ESD等级

器件的 ESD 等级一般按以上三种模型测试，大部分 ESD 敏感器件手册上都有器件的 ESD数据，一般给出的是 HBM 和 MM。

通过器件的 ESD 数据可以了解器件的 ESD 特性，但要注意，器件的每个管脚的 ESD 特性差异较大，某些管脚的 ESD 电压会特别低，一般来说，高速端口，高阻输入端口，模拟端口 ESD电压会比较低。

1、HBM：带电的人体的放电模式

由于人体会与各种物体间发生接触和磨擦，又与元器件接触，所以人体易带静电，也容易对元器件造成静电损伤。普遍认为大部分元器件静电损伤是由人体静电造成的。带静电的人体可以等效为图1.5的等效电路，这个等效电路又称人体静电放电模型（Human Body Model）。

2、CMD：充电器件的放电模型

在元器件装配、传递、试验、测试、运输和储存的过程中由于壳体与其它材料磨擦，壳体会带静电。一旦元器件引出腿接地时，壳体将通过芯体和引出腿对地放电。这种形式的放电可用所谓带电器件模型(Charged-Device

Model，CDM)来描述。

3、MM：带电机器的放电模式

机器因为摩擦或感应也会带电。带电机器通过电子元器件放电也会造成损伤。

4、不是指此物品碰到静电最大值。

扩展资料

静电放电一般有三种模式，HBM，MM和CDM。HBM一般是随机性的，只要做好产线人员的教育及静电防护措施的管理即可控制的很好。

同时器件对于HBM放电的防护水平通常也较高(≥2000V)，而MM和CDM一般都在固定位置发生且容易反复出现，同时由于放电模式的特殊性，且防静电电路设计具有一定局限性，通常器件本身防CDM放电的能力较弱，是特别需要关注的对象。

参考资料来源：百度百科-静电放电

ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），静电保护器件，亦称瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的单路或多路ESD保护器件。ESD静电保护二极管响应速度快（小于0.5ns）、低电容、低导通电压、高集成度、小体积、易安装，可以同时实现多条数据线保护，是业内最理想的高频数据保护器件。

ESD静电保护二极管，主要应用于各类通信接口的静电保护，如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等。同时，ESD静电保护元器件封装多样化，从单路的SOD-323到多路的SOT-23、SOT23-6L、QFN-10等，电路设计工程师可以根据电路板布局及接口类型选择不同封装的ESD静电保护二极管。 

SOT-23封装ESD静电保护二极管

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