哪些是宽禁带半导体器件

碳化硅(SIC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料

SiC电力电子器件主要包括功率整流器(SBD、PiN和JBS等)、单极型功率晶体管(MOSFET、JFET和SIT等)和双极犁载流子功率晶体管(BJT、IGBT和GTO等)。

SiC微波功率晶体管包括SiC MESFET、SiC BJT和SiC SIT等

GaN功率整流器主要包括SBD和PiN二极管

基于GaN的功率开关器件主要包括A1GaN／GaN HEMT(HFET)、GaN MOSFET和MIS—HEMT等结构。

是。禁带是指在能带结构中能态密度为零的能量区间，常用来表示价带和导带之间的能态密度为零的能量区间，宽禁带是指一个带隙宽度，固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，宽禁带与超宽禁带都是半导体电是集成的。

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