PN结问题，P型半导体的空穴问题

不管是N型还是P型还是本征半导体，稳定后其中的空穴和电子个数是相等的。        空穴的概念可以理解为30个人坐30张凳子，受外界干扰后，老师让他们随机换位子，最后有人站着必然有位置空着。

引入P型N型只是加入相同的位置与人或减去相同的位置和人，调位置变得复杂或者简单一点。硅在稳定的时候可以理解为不调位置，所以没有空位子即空穴，只是外加的杂质引起的反复抢位置，

对于单个元素，它们空间排列并不是都像硅那么整齐的，晶体硼的结构单元是若干个正三角形的多面体，每个单元中有12个硼原子，每个硼原子与另外5个硼原子相连。 是原子晶体。而有些原子由于条件原因时不能单独存在的

在N型半导体中，自由电子多，空穴少，多子是自由电子，少子是空穴。

在P型半导体中，空穴多，自由电子少，多子是空穴，少子是自由电子。

不论是N型半导体中的自由电子，还是P型半导体中的空穴，它们都参与导电，统称为“载流子”，“载流子”导电是半导体所特有的。

扩展资料

载流子所处的能量状态

从晶体能带的角度来看，半导体的能量最高的几个能带分别是导带和价带，导带与价带之间隔着一个禁带。禁带中不具有公有化运动的状态——能级，但可存在杂质、缺陷等束缚能级。

自由电子就处于导带中，一般是在导带底附近（导带底就相当于电子的势能）；自由空穴就处于价带中，一般是在价带顶附近（价带顶就相当于空穴的势能）。价带中有大量的价电子，由于这些价电子是被价键束缚住的，不能自由运动，所以不把它们看成为载流子。

空穴就是由价带中的价电子跃迁到了导带之后所形成的（即留下的价键空位）；这种跃迁就称为本征激发，其特点是电子与空穴成对地产生。

参考资料来源：百度百科--载流子

P型半导体本身就有空穴，N型半导体本身就有自由电子。（在硅晶格参杂不同的元素）

P型半导体和N型半导体接触形成PN结，N型半导体的电子扩散到P型半导体填补P型半导体的空穴，形成稳定结构，PN结内部有电场，N+P-。

光照时，P型半导体的电子获得能量，成为自由电子，P型半导体失去电子形成空穴，在电场（内电场和外电场的共同作用下）作用下向N型方向运动。直到扩散速度和激发电子的速度达到平衡。

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