如何用霍尔效应判断n型半导体和p型半导体

根据霍尔效应原理，在满足电流方向垂直于与磁场线方向，载流子会受洛伦兹力的影响，（洛伦兹力的方向都垂直于电流，电场力的方向，且方向由左手定则判断，左力右电吧这个方法），故在这两个相反的方向的面上，会形成霍尔电压。若载流子带正电荷，则为p型半导体（空穴型），若为负电荷，则为n型半导体（电子型）。

当Is与Im都为正值时，霍尔电压Vh为正则为p型。为负是n型

霍尔效应可以测定载流子浓度及载流子迁移率等重要参数，以及判断材料的导电类型，是研究半导体材料的重要手段。

还可以用霍尔效应测量直流或交流电路中的电流强度和功率以及把直流电流转成交流电流并对它进行调制、放大。用霍尔效应制作的传感器。

扩展资料：

在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体。由P型半导体或N型半导体单体构成的产品有热敏电阻器、压敏电阻器等电阻体。由P型与N型半导体结合而构成的单结半导体元件，最常见的是二极管；此外，FET也是单结元件。

参考资料来源：百度百科-P型和N型半导体

霍尔系数判断半导体材料的导电类型：1、根据电流和磁场判断电场力的方向，电场力的方向即半导体中载流子的受力方向（即判断出n型半导体的电子聚集到哪里,或p型半导体的空穴聚集到哪里）。2、对这两种半导体来说,同样的电流和磁场,电场力方向是一样的,但两端电压正负恰好相反。霍尔效应：霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是霍尔效应。这个电势差也被叫做霍尔电势差。

---