半导体的导电能力随温度升高而

热敏性。热敏性拼音： [rè mǐn xìng] 基本解释： 当外界温度升高时，半导体导电能力增加，当外界温度降低时，半导体导电能力降低。半导体的这种特性叫热敏性。半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质.它的重要特性表现在以下几个方面：热敏性半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。温度升高，半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗（Ge），温度每升高10度，其电阻率就会减少到原来的一半。光电特性很多半导体材料对光十分敏感。无光照时，不易导电；受到光照时，就变的容易导电了。例如，常用的硫化镉半导体光敏电阻，在无光照时电阻高达几十兆欧，受到光照时电阻会减小到几十千欧。半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”。利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等。近年来广泛使用着一种半导体发光器件--发光二极管，它通过电流时能够发光，把电能直接转成光能。目前已制作出发黄，绿，红，蓝几色的发光二极管，以及发出不可见光红外线的发光二极管。另一种常见的光电转换器件是硅光电池，它可以把光能直接转换成电能，是一种方便的而清洁的能源。 搀杂特性纯净的半导体材料电阻率很高，但掺入极微量的“杂质”元素后，其导电能力会发生极为显著的变化。例如，纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米，若掺入百万分之一的硼元素，电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。因此，人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素，精确控制它的导电能力，用以制作各种各样的半导体器件。

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阻值减小只是因为电阻特性而已,其阻值与入射光量有关,而与电压、电流无关

也就是说为了找到阻值减小的而去试验才得到或发现的.

光敏电阻的工作原理是基于内光电效应.在半导体光敏材料两端装上电极引线,将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光敏电阻如图所示.为了增加灵敏度,两电极常做成梳状.构成光敏电阻的材料有金属的硫化物、硒化物、碲化物等半导体.

半导体的导电能力取决于半导体导带内载流子数目的多少.当光敏电阻受到光照时,价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带,成为自由电子,同时产生空穴,电子—空穴对的出现使电阻率变小.光照愈强,光生电子—空穴对就越多,阻值就愈低.当光敏电阻两端加上电压后,流过光敏电阻的电流随光照增大而增大.入射光消失,电子-空穴对逐渐复合,电阻也逐渐恢复原值,电流也逐渐减小.

光敏电阻的主要参数

光敏电阻主要参数有亮电阻、暗电阻、时间常数、光谱特性、温度系数和照度指数等.

①亮电阻：一般规定在a光源,色温(2854±50)k,照度1001x条件下测得.

②暗电阻：在01x下测得,由于它会随时间延长而增加,所以规定时间30s.

③时间常数：当光敏电阻在01x上升到1001x时,电阻到达稳定状态的63％所需的时间,也称为惯性,编程器.

④光谱特性：表示光敏电阻对不同波长的光照敏感程度,光谱响应最敏感的波长称为光谱响应峰值.

⑤温度系数：温度变化1℃,亮电阻的相对变化,一般规定在1001x下试.

⑥照度指数：表征光照与亮电阻的关系曲线称为照度指数,一般在照度为llx、101x、1001x、10001x分段测试.

典型光敏电阻参数举例.

·光敏电阻mg41—2：外径尺寸9．2mm；额定功率20mw；亮电阻《1～10kgl；暗电阻》0．1～10mgl；使用环境温度-40～70~c；时间常数《20ms；最高工作电压100v.

·光敏电阻mg41—4：外径尺寸9．2mm；额定功率100mw；亮电阻《100～200fl；暗电阻》50～1000mfl；使用环境温度一40～70~c；时间常数

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