为什么做完高温反偏后,半导体器件耐压会降低

高温反偏试验HTRB，主要是考核器件的高温长期耐受性和寿命预测。在高温下施加反压的结果，更容易曝露出器件内部的原有缺陷。因此，正常情况下，经过高温反偏试验后的器件，耐压会略有下降。当然如果下降太多，比如低于70%额定电压，那器件就属于不合格了。

1.8kV。igbt耐压是有标准的，其是低于1.8kV才更换的，IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

大于4.5eV。

禁带宽度很大(一般大于4.5eV)的是绝缘体，禁带宽度居中的是半导体。

半导体的反向耐压，正向压降都和禁带宽度有关。

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