半导体钽环的制备工艺

物理气相沉积(PVD)是半导体芯片生产过程中最关键的工艺之一，其目的是把金 属或金属的化合物以薄膜的形式沉积到硅片或其他的基板上，并随后通过光刻与腐蚀等工 艺的配合，最终形成半导体芯片中复杂的配线结构。物理气相沉积是通过溅射机台来完成 的，溅射钽环件就是用于上述工艺中的一个非常重要的关键耗材。溅射钽环件在半导体工艺中的主要作用有两点 第一约束溅射粒子的运动轨迹，起到聚焦的作用；

第二 吸附溅射过程中产生的大的颗粒物，起到净化的作用。由于溅射钽环件的特殊使用环境，其技术指标要求主要有 第一材料晶粒度在100— 300微米的范围内；

第二 表面滚花为8 OTPI凸出的菱形，既在一英寸范围内有8 O道花纹，滚花均匀， 表面无可视点；

第三凹型槽成型和环件组装满足图纸要求； 第四焊接依据AMS 2681A标准焊接，符合客户要求。第五酸洗、清洗符合应用材料提出的标准。由于上述技术要求导致溅射钽环件的加工难度增加。

原生铅锌矿的最低边界品位是Pb 0.3%～0.5%、Zn 0.5%～1%；最低工业品位是Pb 0.7%～1%、Zn 1%～2%。氧化铅锌矿的最低边界品位是Pb 0.5%～1%；Zn 1.5%～2%；最低工业品位是Pb 1.5%～2%；Zn 3%～6%。

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