jfet有三个引脚分别是

G、D、S。

结型场效应管(JFET)这种器件在外观上看有三个引脚，我们分别给它起的名称是栅极G、漏极D、源极S。由于JFET的S极和D极在结构上具有对称性，所以一般可以互换使用，通常两个电极不必再进一步区分。在需要区分D、S极的场合下，也可以利用万用表测量两个电极之间的电阻值进行判定。

JFET一般指结型场效应晶体管。结型场效应晶体管（JunctionField-EffectTransistor，JFET）JFET是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极g，N型半导体两端分别引出两个电极，分别称为漏极d，源极s。

jfet不是igbt。jfet是结型场效应晶体管，igbt是绝缘栅双极晶体管。igbt支持大多数电压，并允许MOSFET为低电压类型，因此RDS（on）值较低。而jfet是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极g，RDS（on）值较高。

场效应管是场效应晶体管的简称，它是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。它仅依靠半导体中的多数载流子来导电，故又称为单极型晶体管。

场效应管有三个电极：栅极g、源极s、漏极d，分别对应于三极管的基极、发射极和集电极。其三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于三极管的截止区、放大区和饱和区。场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。结型场效应管的符号和结构示意如下图：

转移特性如下：

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