氮化镓器件相比硅器件有哪些优势？

氮化镓本身是第三代的半导体材料，许多特性都比传统硅基半导体更强。

氮化镓相比传统硅基半导体，有着更加出色的击穿能力，更高的电子密度和电子迁移率，还有更高的工作温度。能够带来低损耗和高开关频率：低损耗可降低导阻带来的发热，高开关频率可减小变压器和电容的体积，有助于减小充电器的体积和重量。同时GaN具有更小的Qg，可以很容易的提升频率，降低驱动损耗。

充电器

以充电器这个产品分类来说，氮化镓材料的充电器可以获得更小的体积、更大的充电功率。

氮化镓是目前全球最快功率开关器件之一，并且可以在高速开关的情况下仍保持高效率水平，能够应用于更小的变压器，让充电器可以有效缩小产品尺寸。比如导入USB PD快充参考设计，使目前常见的45W适配器设计可以采用30W或更小的外形设计。

氮化镓充电器是新的充电科技设备，功率更大，体积更小。

氮化镓的化学名称是GaN，氮化镓充电器是一种新的充电科技设备。采用氮化镓做材料的充电器，可以拥有更大功率更小体积。氮化镓充电器能使同等功率下体积更小，同等体积下功率更大。

氮化镓充电器相比硅基半导体的优势

氮化镓充电器等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面，它具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性。

氮化镓是一种可以代替硅、锗的新型半导体材料，由它制成的氮化镓开关管开关频率大幅度提高，损耗却更小。这样充电器就能够使用体积更小的变压器和其他电感元件，从而有效提高效率。

氮化镓相比传统硅基半导体，有着比硅基半导体出色的击穿能力，更高的电子密度和电子迁移率，还有更高的工作温度。

普通充电器的核心制造原料是硅。技术和材料之间的关系就像巧妇难为无米之炊。是的，技术进步了，但受限于硅的性能，普通充电器不会有太大的发展了。

氮化镓可以说是目前研制微电子器件、光电子器件的先进半导体材料了。它具有很多优点，比如宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率，而且它的化学稳定性非常好，又有很强的抗辐照能力，因此是很受欢迎在电子器件制造领域很受喜爱。据说LED显示技术行业领先的利亚德就参股了生产氮化铵的Saphlux公司。

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