半导体禁带宽度是光学带隙值

半导体禁带宽度是指半导体材料的能带宽度，也就是半导体材料中电子和空穴的能带宽度。它是由半导体材料的光学带隙值决定的，即半导体材料的能带宽度等于其光学带隙值。一般来说，半导体材料的能带宽度最小为200meV，最大可达500meV。因此，半导体禁带宽度的最小值是200meV，最大值是500meV。

绝缘体的禁带宽度：绝缘体的禁带宽度比较大（6~7ev），而半导体的禁带宽度通常在1ev左右，例如300K下，Si的Eg 1.12ev，Ge 0.67ev，GaAs 1.43ev,当外界条件变化的时候，里面的电子会获得能量，获得能量之后，满带中少量电子，跃迁到上一个空带的底部附近，所以满带中的电子和原先空带中的少量电子都参与导电，所以常温下具有一定的导电能力，通常把满带中，少量电子跃迁后，剩余的大量电子对电流的贡献，用少量的带正电的准粒子加以等效描述，称为空穴。

名词解释如下：

1、导带是由自由电子形成的能量空间，即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。

2、价带：价带（valence band）或称价电带，通常是指半导体或绝缘体中，在0K时能被电子占满的最高能带。

3、禁带：英文名为Forbidden Band，在能带结构中能态密度为零的能量区间。

特点

禁带宽度的大小决定了材料是具有半导体性质还是具有绝缘体性质。半导体的禁带宽度较小，当温度升高时，电子可以被激发传到导带，从而使材料具有导电性。绝缘体的禁带宽度很大，即使在较高的温度下，仍是电的不良导体。

在某种材料的电子能带结构图像中，价带位于导带的下方，在价带和导带的中间绝缘（绝缘体）或由能隙（或称“禁带”）间隔，而在金属中，价带和导带之间没有能隙。

以上内容参考：百度百科-禁带

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