国内做半导体的公司有哪些？

云南半导体器件厂（昆明天达阳光科技有限公司）_

昆明市福利线路金具标准件厂（昆明市空间金属结构厂）

云南东昌通信材料有限公司

扬州晶芯半导体有限公司

茂群电子科技（扬州）有限公司

扬州市广宇电子有限公司（扬州市长江半导体厂）

扬州中原半导体气体有限公司

扬州盛大半导体材料有限公司

伊藤忠商事有限公司

欧姆龙投资有限公司、

欧司朗光电半导体公司

远东集团、

东贝光电公司、

三得利投资有限公司、

三菱商事公司、

松下电工有限公司、

挪威MK光伏有限公司

美国通用硅光电公司、

美国通用技术有限公司

飞利浦公司、

美国芯瑞科技股份有限公司

半导体器件产生的热量来源于芯片的功耗，热量的累积必定导致半导体结点温度的升高，随着结点温度的提高，半导体器件性能将会下降，因此芯片厂家都有规定半导体器件的结点温度。在普通数字电路中，由于低速电路的功耗较小，在正常的散热条件下，芯片的温升不会太大，所以不用考虑芯片的散热问题。而在高速电路中，芯片的功耗较大，在正常条件下的散热不能保证芯片的结点温度不超过允许工作温度，因此需要考虑芯片的散热问题。半导体电路集成电路中，器件的结温是由产热与散热的诸因素决定的。

基本的半导体器件主要有以下几种：pn结二极管，金属氧化物场效应晶体管（MOS）,双极晶体管（BJT）,结型场效应晶体管。pn结二极管结构：其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。工作原理：由于二者接触后产生由n型半导体指向p型半导体的内建电场，当外加电压由n型半导体指向p型半导体时进一步增强了其内建电场，因而其电流会很小，当外加电压由p型指向n型时，内建电场降低，电流可顺利通过pn结，形成单向导电的特性。MOS结构：主要由栅极，漏极及源极三部分构成。工作原理：通过栅极控制沟道载流子浓度实现对源极及漏极电流的控制。BJT结构：由发射极，基极，集电极构成。基本原理：通过控制发射极与基极之间的电压以及集电极与基电极之间的电压实现电流的放大，截至等效应。结型场效应晶体管：与MOS构成类似，不同点仅在于其栅极位于沟道的上下两侧。工作原理：上下栅极同时控制沟道的载流子浓度及沟道的宽度实现对电流的控制。

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