为什么说为什么硅的温度稳定性要比锗的好? 呼叫系统 • 2023-4-16 • 技术 • 阅读 14 半导体,自由电子和空穴的浓度n=p=A0*(T^3/2)*e^(-Eg0/2kT),T为绝对温度,Eg0为T=0K时的禁带宽度,硅原子为1.21eV,锗为0.78eV;k=8.63*10^-5eV/K为玻尔兹曼常数;A0为常数,浓度与温度关系极大,硅的禁带宽度大于锗的禁带宽度→硅的温度稳定性要比锗的好。三极管中硅管和锗管的区别有两点:一是导通电压不同硅管是0.65V锗管是0.2-0.3V二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。锗管很少了。 欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出原文地址: https://outofmemory.cn/dianzi/8447813.html 宽度 热稳定性 常数 温度 浓度 赞 (0) 打赏 微信扫一扫 支付宝扫一扫 呼叫系统 一级用户组 0 0 生成海报 在计算机中什么是内存存取时间和存储周期? 上一篇 2023-04-16 半导体的英语翻译 半导体用英语怎么说 下一篇 2023-04-16 发表评论 请登录后评论... 登录后才能评论 提交 评论列表(0条)
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