在太空中合成半导体的设施将在国际空间站的模型上测试

据塔斯社5月27日报道， 用于在国际空间站 (ISS) 上合成半导体结构的原型装置，由半导体物理研究所 (IFP) 命名，将在2023年初之前接受全面测试。该原型将与国际空间站模型对接。

据悉，多层半导体结构通过分子束外延的方法“生长”：不同元素的原子分层堆叠在特殊的衬底上，从而获得具有所需质量的半导体多层纳米结构。为了使外来原子不会进入新材料并且不会破坏其特性，该过程必须在高真空条件下进行。然而，在陆地条件下很难达到所需的真空参数，而这些参数在太空中很容易获得。为了利用这一优势，科学家们决定直接在轨道上制造半导体产品。

该项目的首席设计师、俄罗斯科学院西伯利亚分院物理与技术研究所实验室负责人亚历山大·尼基福罗夫说：“今年年底到明年年初将进行最后阶段的测试，称为复杂测试，届时该原型将与国际空间站模型对接。”

（编译：张宏伟）

美国费米国家加速实验室(fermilab),欧洲核子研究中心(CERN)，中国科学院高能物理研究所(IHEP)，日本高能加速研究机构(KEK)，美国布鲁克海文国家实验室(BNL)，美国SCLA国家加速实验室，德国电子同步加速(DESY)，俄罗斯科学院布德克尔核物理研究所(BINP)

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