半导体晶圆为何不能做成方的

之所以晶圆都做成圆形,主要的是考虑单位面积利用率和生产问题.

首先硅锭被"拉"出来的时候就一定是圆的,几乎不可能直接获得方的硅锭,除非将圆的硅锭切削成方的,但这样无异于浪费. 比较直径为L毫米的圆和边长为L毫米的正方形,考虑晶圆制造过程中边缘5到8毫米是不可利用的,算算就知道正方形浪费的使用面积比率是比圆型高的.

再则, 很多晶圆生产设备的工艺原理必然要求选择圆型晶圆. 圆型具有任意轴对称性,这是晶圆制作工艺必然的要求,可以想象一下,在圆型晶圆表面可以通过旋转涂布法(spin coating,事实上是目前均匀涂布光刻胶的唯一方法)获得很均匀一致的光刻胶涂层,但其它形状的晶圆呢? 不可能或非常难,可以的话也是成本很高. 当然,还有很多其它的工艺容易在圆型晶圆上实行而很难在其它形状上实施.

当然,我也觉得或许在人们开始规模制作晶圆的时候一开始就用诸如正方型的晶圆的话, 我们现在也可能还在继续发展方型晶圆,只不过现在所有的晶圆加工设备都是为圆型晶圆设计的,这是世界标准.

世界选择圆型,自然是有其必然性的. 看看其后的成本问题就很清楚了.

（1）根据左手定则，电子向N端偏转，则M点电势高                         ①

（2）设前后两个表面相距为L，电子所受的电场力等于洛仑兹力

e

UH

L

＝evB                      ②

设材料单位体积内电子的个数为n，材料截面积为s

I=nesv                       ③

s=dL 　④

由②③④得：

UH＝

BI

ned

                     ⑤

令k＝

1

ne

，则   UH＝k

BI

d

       ⑥

（3）增大电流I、减小厚度d 和减小截流子的密度    

答：（1）M点电势高．

（2）证明如上所示．

（3）增大电流I、减小厚度d 和减小截流子的密度

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