如何判别晶体管(半导体三极管)是硅管还是锗管

如何判别晶体管(半导体三极管)是硅管还是锗管,第1张

一只标志不清的晶体管三极管,可以用万用表判断它的极性,确定它是硅管还是锗管,并同时区分它的管脚。对于一般小功率管,判断时一般只宜用Rx1K档.步骤如下:

1. 正测与反测 将红黑表笔测晶体管的任意两脚电阻,再红黑表笔互换仍测这两脚电阻,两次测量电阻读数不同,我们把电阻读数较小的那次测量叫正测,我们把电阻读数较大的那次测量叫反测。

2. 确定基极 将晶体管三只管脚编上号1.2.3. 万用表作三种测量,即1-2, 2-3,3-1,每种又分正测和反测。这六次测量中, 有三次属正测, 且电阻读数个不相同。找出正测电阻最大的那只管脚,例如1-2,另一支管脚3便是基极。这是由于不论管或管,都为两个二极管反向连接而成(如附图)。发射极,集电极与基极间的正测电阻即一般二极管正向电阻,很小。当两表笔接集电极和发射极时,其阻值远大于一般二极管正向电阻。

3. 判别极性 黑表笔接已确定的基极,红表笔接另一任意极,若为正测,则为NPN管,若为反测,则为PNP管。这是因为黑表笔接万用表内电池正端,如为正测,黑表笔接的是P端,晶体管属NPN型。如为反测,黑表笔接的是N端,晶体管属PNP型。

4. 确定集电极和发射极对集电极和发射极作正测。在正测时,对NPN管黑表笔接的是集电极,对PNP管,黑表笔接的是发射极。这是因为不论正测或反测,都有一个PN结处于反向,电池电压大部分降落在反向的PN结上。发射结正偏,集电路反偏时流过的电流较大,呈现的电阻较小。所以对NPN管,当集,射间电阻较小时,集电极接的是电池正极,即接的是黑表笔。对PNP管,当集,射间的电阻较小时,发射极接的是黑表笔。

5. 判别是硅管还是锗管 对发射极基极做正测, 若指针偏转了1/2--3/5,是硅管。若指针偏转了4/5以上,是锗管。这是因为电阻挡对基——射极作正测时, 加在基射间的电压是Ube=(1-n/N)E, E=1.5v是电池电压,N是有线性刻度的某一直流电压的总分格数,n是表针在该刻度线上偏转的分格数。通常硅管U=0.6~0.7v, 锗管Ube=0.2~0.3v。因此在测试时, 对硅管, n/N约为1/2-3/5;对锗管, n/N约为4/5以上。 另外,对于一般小功率的判别,万用表不宜采用Rx10或Rx1挡。以500型万用表测硅管来说明,该表内阻在Rx10挡是100欧,对硅管b.e极作正测是,电流达Ibe=(1.5v-0.7v)/100欧=8mA,? 测锗管时电流还要大,用Rx1挡电流更大,有可能损坏晶体管。至于Rx1k挡,该挡电池电压较高,常见的有1v,12v,15v,22.5v等几种,反测时有可能造成PN结击穿,故此挡也应慎用。

测判三极管的口诀

三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功,为了帮助读者迅速掌握测判方法,笔者总结出四句口诀:“三颠倒,找基极;PN结,定管型;顺箭头,偏转大;测不准,动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。

一、 三颠倒,找基极

大家知道,三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同,可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管,图1是它们的电路符号和等效电路。

测试三极管要使用万用电表的欧姆挡,并选择R×100或R×1k挡位。图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。由图可见,红表笔所连接的是表内电池的负极,黑表笔则连接着表内电池的正极。

假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型,也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时,我们任取两个电极(如这两个电极为1、2),用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻,观察表针的偏转角度;接着,再取1、3两个电极和2、3两个电极,分别颠倒测量它们的正、反向电阻,观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中,必然有两次测量结果相近:即颠倒测量中表针一次偏转大,一次偏转小;剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小,这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参看图1、图2不难理解它的道理)。

二、 PN结,定管型

找出三极管的基极后,我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型(图1)。将万用表的黑表笔接触基极,红表笔接触另外两个电极中的任一电极,若表头指针偏转角度很大,则说明被测三极管为NPN型管;若表头指针偏转角度很小,则被测管即为PNP型。

三、 顺箭头,偏转大

找出了基极b,另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。

(1) 对于NPN型三极管,穿透电流的测量电路如图3所示。根据这个原理,用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec,虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小,但仔细观察,总会有一次偏转角度稍大,此时电流的流向一定是:黑表笔→c极→b极→e极→红表笔,电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”),所以此时黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e。

(2) 对于PNP型的三极管,道理也类似于NPN型,其电流流向一定是:黑表笔→e极→b极→c极→红表笔,其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致,所以此时黑表笔所接的一定是发射极e,红表笔所接的一定是集电极c(参看图1、图3可知)。

四、 测不出,动嘴巴

若在“顺箭头,偏转大”的测量过程中,若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时,就要“动嘴巴”了。具体方法是:在“顺箭头,偏转大”的两次测量中,用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部,用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b,仍用“顺箭头,偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。其中人体起到直流偏置电阻的作用,目的是使效果更加明显。

让我们听听汇泰龙电子事业部专家的专业分析,选好适合自己使用的指纹密码锁。1. 从识别载体区分指纹密码锁: 目前,市场上的指纹密码锁主识别载体主要有两种,一种是光学指纹密码锁,而另一种就是半导体指纹密码锁。 汇泰龙电子锁事业部的研发专家指出:光学指密码纹锁相对稳定,适应性强,多用于防盗锁具上,所占用的空间比半导体大,在遭受金属硬物刻划后一般仍能使用而半导体指密码纹锁体积相对较小,识别范围比光学广些,特别是对干性指纹用户更加明显。但半导体指密码纹锁对使用环境的要求较高,易划伤报废。一般多用于由专人看管场所(如银行)和产品(如手机、笔记本电脑和加密U盘)中,半导体识别载体的使用寿命比光学识别载体短很多。2. 从拒识率和误识率的安全角度考虑: 拒真率和认假率是最重要的安全指标之一,也可以称作拒识率和误识率,目前有几种表达的方式: (1)所用指纹头的分辨率,如500DPI。 现有光学指纹传感器的精度一般是30万像素,也有个别企业采用10万像素的。 (2)用百分比的方式:比如一些参数上写的等。 当然这都是各个企业宣传的参数,无论是500 DPI还是拒真率<0.1%对于普通用户来说都只是个概念,也没办法检测。目前国内检测这方面的权威机构就是上海安防产品的检测中心,检测标准是“拒真率应≤3%认假率≤0.001%”。 (3)对于“拒真率、认假率”相互之间此消彼长的说法,在一定程度上是正确的,这个好像在数学上是“假设检验”的概念:在同一水平上,拒真率高,认假率就低,反之亦然。这是反比关系。但是为什么说是在一定的程度上是正确的呢,因为如果工艺和技术水平提高的话,这两个指标都能降下来,所以本质上还是要提高技术水平。有些厂家为了加快认证,通过降低安全等级的做法,以牺牲安全为代价,来制造速度快、识别能力强的假像。这在样锁或演示锁中出现的比较多。用户在认购的时候一定要咨询专家,以防见购买到质量低下的产品。选购的依据就是根据公安部的相关安全标准,家庭进户门用指纹防盗锁安全等级应当为3级,即拒真率≤0.1%,认假率≤0.001%。3. 功能和耐用性的选择。 从理论上来说,同一技术实力的厂家生产的产品,每多一个功能就要多设计一个程序,相应的,产品损坏的机率也大一些。但如果生产厂家的技术实力比较高,其生产的产品,完全可以做到比那些研发技术力量弱的品牌的产品,功能要齐全,质量要更好。汇泰龙电子事件部专家解释说:“而最为更关键的一点就是,多功能的好处和风险的比较。如果多功能带来的用处大,那就可以说这个附加值是好的,如果这个功能不能给你带来任何好处,那就是多余的了。所以选购产品的关键的不是多功能就一定多风险,而是这个风险值不值得承受。”4. 从指密码纹锁的液晶屏角度选择。 目前国内产品中能够提供这种配置的厂家不多,大部分还只是靠灯光和声音提示这些指纹模块自带的功能来实现。设置液晶显示器后,可以让用户 *** 作更加方便、简单。功耗比配灯光和声音略高点。需要不需要,就要看消费自己的需求了。但使用液晶肯定可以使指密码纹锁更智能,用户 *** 作更简单,这是明显的。就像手机,显示屏黑了,还是可以打电话的,只是不方便些罢了。总体来说,使用这项技术就像指密码纹锁本身替代机械锁一样,是技术和市场发展的必然!)


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