半导体的发展史

1、1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

2、1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特性。

3、1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体的第三种特性。

4、1874年德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第四种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

5、半导体的这四个特性，虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

扩展资料：

最早的实用“半导体”是「电晶体（Transistor）/二极体（Diode）」。

1、在无线电收音机（Radio）及电视机（Television）中，作为“讯号放大器/整流器”用。

2、发展「太阳能（Solar Power）」，也用在「光电池（Solar Cell）」中。

3、半导体可以用来测量温度，测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域，有较高的准确度和稳定性，分辨率可达0.1℃，甚至达到0.01℃也不是不可能，线性度0.2%，测温范围-100~+300℃，是性价比极高的一种测温元件。

4、半导体致冷器的发展, 它也叫热电致冷器或温差致冷器, 它采用了帕尔贴效应.

参考资料来源：百度百科——半导体

1995年和2001年，陈大同分别在美国硅谷和中国上海参与创办了豪威科技（Omnivision）和展讯通信。前者致力于CMOS图像传感器芯片，2000年上市；后者研发出了自主知识产权的手机基带芯片，2007年上市。两家公司均一度成为全球同行业的引领者。

展讯在美国上市后，2008年，他投身风投，领导了一系列集成电路领域的投资。“我这一路走过来，有些是幸运，但回头一看，其实更多的是一种必然。”

中国半导体产业60多年起伏与生长

自上世纪70年代从清华大学无线电专业转到半导体专业，陈大同与半导体打了40多年交道。

陈大同说，早在上世纪50年代末60年初，我国就有了半导体产业，当时的发展几乎与世界同步。由于对外界的封闭，虽然起步早，但发展慢，到1980年代初他念研究生时，我国半导体产业与世界的差距越来越大。

当时清华大学微电子研究所是国内半导体研究水平最高的两个研究所之一，他们所做的“逆向设计”实际上就是解剖芯片，分析之后再重新做出来。这样的能力非常了不起，但逆向设计是为了“追赶”，并不是真正的“赶超”。

从1980年开始一直到2000年是中国半导体产业发展的第二阶段。这一时期，我国经历了从计划经济到市场经济的转变。在快速变化的世界中，“国家一开放，外国产品一进来，（国内）完全没有任何竞争力。”

“1989年我出国的时候国内有几百家半导体公司，等我2000年回国的时候几乎全都倒闭了，在这种关键的时候整个产业几乎没了，因为原来那些公司都是国营公司。”2000年以后，以中芯国际和展讯的创办为开端，中国半导体产业发展进入第三阶段，芯片设计公司的产品能在国内加工了，民营半导体企业从零开始成长，尽管规模较小。“特别是2005年开始有了VC后，半导体企业大批量出现，到2007年、2008年光设计公司已经有五六百家了。”

但陈大同表示，这一时期是野蛮成长的阶段，这些企业在市场法则的激烈竞争中大都失败了，只有少数获得成功，而当时活下来的就成了现在的半导体龙头企业。“这个阶段的最大特点就是按照市场机制从小到大创办公司，但这个阶段也发现了很大问题，有许多痛点，光靠市场机制是没法做的。”

比如一个晶圆代工厂的投资就要几百亿甚至上千亿人民币，而回报以10年计算。“三星在半导体方面被韩国政府扶持了十几年才建立起来。”陈大同表示，像这类大体量和长期的投资只能由政府出手

中国半导体发展自新中国发展以来，积累了数代人的心血。曾经的努力与挫折，既奠定上中国半导体工业的基础，又被先进国家拉大了距离。回头再看这一个个中国半导体产业留下的脚印，相信在新的时代，中国的半导体产业会有新的发展。 　 1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。 　 1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。 　 1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI（甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。 1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。 　 1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所）。 　 1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。 　 1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。 　 1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。 　 1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。 　 1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。 　 1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。

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