中国能制造内存颗粒吗

可以制造。其实中国自主的3D NAND闪存颗粒早已蓄势待发，最快将在2017年底推出，而且是32层堆栈的，起点不算低。

概述

内存条以及SSD的疯涨“得益于”原料产能不足，也就是NAND闪存颗粒的产能不足造成了现如今内存条与SSD的疯狂涨价。要知道在闪存领域，掌握了闪存颗粒几乎可以说就掌控了闪存市场（包括内存条、SSD、储存卡等）。目前，全球范围内从事NAND闪存颗粒制造的厂商不计其数，但具有统治地位的就只有六家，他们分别是三星（Samsung）、东芝（Toshiba）、英特尔（intel）、海力士（SKhynix）、美光（Micron）、闪迪（SanDisk），这六家从事NAND闪存颗粒制造的厂商几乎垄断了全球大部分闪存市场的份额。

国内市场

中国本土的闪存颗粒生产厂家如紫光科技、新芯科技等并没有上榜。

其实中国自主的3D NAND闪存颗粒早已蓄势待发，最快将在2017年底推出，而且是32层堆栈的，起点不算低。要知道，上述这六家厂商研发多年，推出的第一代3D闪存也不过是24层堆栈，就目前而言的闪存市场而言。32层堆栈的还算是主流。虽然到年底时这些世界一线大厂的48层甚至64层堆栈的3D闪存可能就会面世，但是中国厂商能推出32层堆栈的3D NAND闪存颗粒就是迈出了一大步。与国际一线大厂的差距是有，不过差距应该会缩小很多，国产3D闪存还有追赶的机会。

当国产的3D NAND闪存颗粒成熟之后，势必会搅动整个闪存市场。闪存产品价格疯涨这一现象相信会得到抑制。这些都有将益于消费者。像笔者这样的消费者迫切希望这样的“搅局者”出现早点出现。

在半导体设计、制造及封测三大领域中，国内公司最薄弱的环节是半导体制造，目前英特尔、三星、台积电三大公司的制造工艺已经微缩到了14nm、10nm及7nm节点，国内最大的晶圆代工厂中芯国际目前量产的最先进工艺还是28nm，预计今年量产14nm工艺。在中芯国际之外，另一家代工大厂华力微电子也宣布今年底量产28nm HKC+工艺，明年底将会量产14nm FinFET工艺，这将是国内第二家量产14nm工艺的代工厂。

上海华力微电子公司（HLMC）是华虹集团子公司之一，成立于2010年1月，是国家“909”工程升级改造项目承担主体，拥有中国大陆第一条全自动12英寸集成电路芯片制造生产线（华虹五厂），工艺技术覆盖55-40-28纳米各节点，月产能达3.5万片。

2018年10月18日，华力公司第二条12英寸晶圆厂生产线投产，总投资387亿元，经过22个月的工期建设正式投产，月产能为4万片晶圆，工艺技术从28nm起步，目标是具备14nm 3D工艺生产能力，不过最初的月产能是1万片晶圆，14nm工艺目前也没有量产，还需要时间进行产能、技术爬坡。

在今天举行的SEMICON China 2019先进制造论坛上，上海微电子华力微电子研发副总裁邵华发表了主题演讲，介绍了华力微电子半导体制造的新进展。据他透露的消息，今年底华力微电子将量产28nm HKC+工艺，明年底则会量产14nm FinFET工艺。

在制造工艺上，华力微电子去年底宣布量产28nm低功耗工艺，已经为联发科代工28nm低功耗芯片。

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