光伏产业单晶炉龙头，第三代半导体芯片设备黑马股，业绩稳定增长

硅晶片是重要的半导体芯片材料。由于具有抗辐射，耐高温和高可靠性的特性，硅基材料在1960年代后期逐渐取代锗基材料成为主流半导体芯片材料。目前，超过95％的半导体芯片和器件是由硅基材料制成的。

半导体硅晶片市场高度集中并且具有规模优势。 Shin-Etsu Chemical（日本），SUMCO（日本），SK Siltron（韩国），Siltronic（德国）和Global Wafer（台湾）占全球市场份额的93％。 。中国大陆的半导体晶圆自主性较低，特别是对于12英寸大晶圆。随着半导体芯片设计和制造能力向我国的逐步转移，下游制造商正在推动供应链的国产化。以中环和沪硅为代表的国内硅晶圆制造商开始加快步伐，它们正在逐渐突破海外垄断并加速推进我国进行半导体晶圆国产化进程。

晶体生长设备是公司的传统优势业务。在光伏领域，除隆基股份和京运通外，该公司的单晶炉市场份额高达90％，牢牢占据龙头地位；在半导体芯片领域，公司一直保持与半导体芯片材料制造商的关系。良好的业务和研发合作关系，再加上自身强大的技术实力，率先实现了匹配超导磁场的8〜12英寸直拉式，区域熔化单晶炉和12英寸单晶硅生长炉的本地化，以及进入中环，有研、郑州合晶、金瑞泓等客户的供应链系统。此外，公司成功开发了6英寸碳化硅晶体生长炉，以进一步扩大第三代半导体设备的市场布局。

在光伏设备方面，2013年，公司成功研发出中国第一台单晶硅棒切割和磨削联合加工机。 2015年，成功开发了各种智能设备，例如单晶硅棒切割机和多晶硅块磨机，并开始涉足光伏电池，组件设备。 2017年，公司成功开发出高效太阳能电池组件自动堆垛机，实现了无母线叠层电池组件的生产，并当年顺利推广销售，成为国内首家实现GW级出货量设备的供应商。在半导体芯片设备方面，通过加强技术交流与合作以及自主研发，公司成功开发出一系列6-12英寸半导体单晶滚圆机，单晶硅切割机，双面研磨机，6- 8寸自动硅片切片机等新产品。其中，与齐滕精机合作成功开发了12英寸的倒圆机和裁断机，达到了行业领先水平；通过与Revasum合作成功将抛光机推向市场，并积极开发12英寸抛光机。

公司已经建立了大规模的高真空精密零件制造基地，用以投资高端半导体芯片制造的核心环节，并搭建了优越的产业平台，并逐步布局与半导体芯片相关的辅助材料，消耗品和关键产品。添加了半导体芯片抛光液，阀门等新产品，例如磁流体零件和16-32英寸坩埚。其中，抛光液是通过与韩国ACE Nanochemical Co.，Ltd.和Intel International Co.，Ltd.成立合资子公司Jingyan Semiconductor研发的。ACE抛光材料质量高，成本效益高，并且具有被许多海外客户认可的资质。公司充分结合了三方行业基础，技术品牌和市场资源的优势，在抛光液方面已经具有国产化的能力。

2020年前三季度，公司实现收入24.85亿元，同比增长23.81％，归属于母公司所有者的净利润5.24亿元，增长11.00％；其中，2020年第三季度，公司实现收入10.15亿元，同比增长22.40。％，归属于母公司所有者的净利润2.47亿元，同比增长12.07％。

A股上市公司光伏单晶炉龙头、第三代半导体芯片设备黑马股晶盛机电整体保持震荡上行格局，机构阶段性控盘结构，据大数据统计，主力筹码约为55%，主力控盘比率约为50%； 趋势研判与多空研判方面，可以参考DKX（5）参数为5，双线的多空排列作为方向参考，K线与DKX所处位置做多空参考。

半导体中钴元素对非金属的影响深远，以半导体为根基的第三次产业革命浪潮在人工智能和大数据的助力下不断引爆，但眼见摩尔定律濒临极限，新材料的革新势必再上一个阶梯。从 1997 年 IBM 以“铜”取代“铝”后，二十年后的今天，属于“钴”的时代在半导体产业正式登场，将挑起产业转折点的跨时代任务！

半导体产业在这几年有不少关键转折点出现，但多半是在晶体管架构、设备技术上，如 3D 立体式鳍式晶体管 FinFET 接棒 2D 平面晶体管架构、 3D NAND 架构取代传统的 2D NAND 技术，这种立体式架构的革新让半导体制程顺利走入 14/16 纳米等高端技术。

另外，荷兰企业 ASML 的 EUV 光刻机即将在 7 纳米工艺技术上实现量产，这些都在半导体行业中都具有跨越时代的意义，值得历史留名，也因为有这些转折点的产生，摩尔定律的生命因此延续。

短短数年，我们经历了 FinFET 、 EUV 光刻机的成功，而半导体产业的下一个转折点其实就在不远处，会是由新材料的革新接棒，“钴”时代即将登场，逐渐终结“钨”和“铜”的时代。

10 纳米和 7 纳米节点进入钴导线时代，设备龙头应材推动产业革命的到来

随着半导体制程朝 10 纳米以下发展，原本以“铜”作为导线材料开始暴露导电速率不足等缺点，让制程工艺技术在 10 纳米、 7 纳米节点上遇到瓶颈，因此半导体大厂和设备大厂纷纷投入新材料研发，突破半导体制程技术的限制。

美国公司应用材料（Applied Materials, Inc）是全球半导体设备龙头，每年投入的研发经费十分可观，也是最早投入以“钴”作为导线材料取代传统“铜”、“钨”的半导体技术大厂之一，现在，这样的产业革命已经即将要落实在商用化芯片，具有划时代的意义！

在 10 纳米、 7 纳米等先进工艺下以“钴”作为导线材料，可以达到导电性能更强、功耗更低，芯片达到体积更小的目标，应材解释，这就是推动“PPAC”（效能 performace、功耗 power、面积 area、成本 cost）不断往前，未来甚至往下做到 5 纳米、 3 纳米工艺节点。

应用材料解释，不像是晶体管的体积越小，效能会越高，在金属镀层的接点和导线上，反而是体积越小，效能越差，如果把导线比喻成吸管，吸管越小是越容易阻塞，因此，导线材料的选择上有三个关键参考点，分别是填满能力、抗阻力、可靠度。

在 30 纳米以上的工艺技术，“铝”在填满、可靠度两方面表现不佳，但“铜”则是十分称职，因此仍扮演很重要的材料。

然进入 20 纳米以下高端工艺后，无论是钨、铝、铜的表现其实都不理想，相较之下，“钴”在填满能力、抗阻力、可靠度三方面是异军突起，尤其在半导体 10 /7 纳米以下的高端技术，“钴”是新一代导线材料之王。

图丨钨铝铜钴的比较

应材分析，晶体管的关键临界尺寸（Critical Dimension）是在 15 纳米左右，意思是到了该尺寸时，钴与铜的性能参数比达到交叉点，而所谓晶体管的关键临界尺寸，与制程技术工艺节点之间的比例约是 2 比 1，意思是，当 15 纳米是使用铜材料的关键临界尺寸极限，放大到制程工艺节点上，瓶颈就是 7 纳米左右。

关于“钨”时代的登场，应材进一步表示，在芯片关键临界尺寸的微缩上，“钨”与“铜”两个金属材料在 10 纳米以下已经无法完成微缩任务，因为其电性在晶体管接点与局部中段金属导线制程上已逼近物理极限，“钨”与“铜”再也无法导入成为接口，这就成为 FinFET 无法发挥完全效能的一大瓶颈。

而“钴”这个金属刚好能消除这个瓶颈，但也需要在制程系统策略上进行变革，随着产业将结构微缩到极端尺寸，这些材料的表现会有所不同，而且必须在原子级上，有系统地进行工程，通常是在真空的条件下进行。

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