电路板上的电子元件有哪些,都有什么作用,用数字万用表怎么测试是否OK和NG

一

电路板上的电子元件有：电容、电阻、电感、半导体元件。

二

电

容：电的容器

电

阻：电过有阻

电

感：变磁变电

半导体：半导半绝缘

三

用数字万用表正负表棒接元件任意两引脚即可测试，是否ok请依据电路、元件、档位、数据具体分析。

在我看来，提问者提出的问题是根据元器件外观来提出的，其实三极管总的来说有两种类型三极管，一种是电流控制型三极管，我们根据它的特性又给起了个名字叫双极结型晶体管；另一种是电压控制型三极管，我们也给它起个名字叫场效应管，（又称FET管）。下面我们就以上两大类三极管个大家聊一聊它们的故事。

我们先拿绝缘栅晶体管来说吧，随着半导体技术的发展，这种器件也有着庞大的家族体系，我们着重讲讲常用的几种：

结型场效应管（JFET）

这种器件在外观上看有三个引脚，我们分别给它起的名称是栅极G、漏极D、源极S。我们再从内部结构看，这种器件在内部结构上又分为N沟道结构和P沟道结构，下图 左边是N沟道结构。右边是P沟道结构。

它们的工作过程是通过外部电压控制两个PN结，就像控制两扇“大门”开合一样，来调节管子的工作电流的。

绝缘栅型场效应管（MOSFET）

我们简称这个器件为MOS场效应管，它的全名叫金属-氧化物-半导体场效应管，从外观看它也有三个引脚，引脚名字与结型场效应管叫法一样，分别叫栅极G、漏极D、源极S，但从内部结构看尤其是栅极结构两者是不一样的。根据栅极结构我们又把它分成两种，一个是增强型MOS场效应管；另一个是耗尽型MOS场效应管。其原理图符号如下图所示。

绝缘栅双极晶体管（IGBT）

这个器件是场效应管家族中重要的成员之一，它是具有三极管的大电流密度特性，也具有绝缘栅型晶体管电压控制的特点，它把两者完美的结合起来。因此它在这个家族中显得很“高贵”，这种器件使用也很普遍。例如在家用电磁炉、工控用的变频器里都能见到它的“身影”。这种器件也是伸出了三个引脚，我们分别叫它栅极G（也叫控制极）、漏极C（也叫集电极）、源极E（又称发射极）。这种器件的特点是电流密度大、输入阻抗高、导通电阻低、开关速度快、击穿电压高、安全工作区大。

电力电子器件

从外观看电力电子器件有三个引脚，我们举个例子来说明，比如单向晶闸管俗名叫单向可控硅（SCR），从外观看它有三个引脚，分别称为控制极G（又称门极）、阳极A、阴极K。这种管子一般在可控整流、交流调压、逆变电源或者开关电源等能见到它们的身影。

三极管器件

三极管在电子元器件家族中的充当重要角色，我们顾名思义就能猜出，这类元件也有三个引脚，这类元件的功能与上面所说的不通，它具有电流放大和开关作用。它可以把微弱的输入信号“放大”出一定强度的输出信号，其实这种“放大”就是一种“控制”能量转换的过程，其实质是把电源的能量转换成信号的能量输出。它的重要参数就是电流放大倍数β。从外部结构看三极管同样有三个极，分别叫基极B、集电极C、发射极E，在三极管基极有微弱的电流，其集电极和发射极就有较大的电流，他们的电流分配满足如下，集电极电流Ic=βIb，Ie=(β+1)Ib。

从内部结构看三极管又可分为NPN型和PNP型两类。

总之：不管是NPN型还是PNP型，所谓的电流被“放大”并不是将基极电流IB放大，只是用较小的基极电流IB来控制较大的集电极电流IC值，从外部来看就好像是IB被放大一样，这就是三极管的电流放大作用

锗的少子浓度高

300K时，Si本征载流子浓度为1*10^10，电子空穴迁移率分别为1450，500

Ge为2.4*10^13，3800，1800

首先假设两种材料的掺杂种类都为N型，浓度分别为ns和ng，并且为中等浓度掺杂

电导率(忽略少子参与的导电)相等即ns*1450=ng*3800

ns=2.6ng

因为掺杂为N，少子应该是空穴，所以ns>ng，ps<pg

锗中的少子浓度高

以上是最简单的情况

如果再复杂一些就是低掺杂和高掺杂了，和掺杂种类不同的情况

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