求教:半导体器件中: LG,DR,FL,MD，CIS,NROM,EE,HV,SOC分别代表什么器件？

LG：logic

DR: dram

FL: flash

MD: microdisplay

CIS: cmos image sensor

NROM: flash项目的一个代号

EE: EEPROM

HV: high voltage

SOC: system on chip

你是中心的吧？

确定半导体是直接带隙还是间接带隙的可以用光致发光光谱。

光效率很大的话差不多就是直接带隙，发光效率低的话就是间接带隙。直接带隙材料吸收光谱应该能比较明显地区分出本征吸收带和吸收边，变化相对较缓，而间接带隙材料比较陡峭。

间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。

电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。

扩展资料：

光致发光过程包括荧光发光和磷光发光。通常用于半导体检测和表征的光致发光光谱指的是光致荧光发光。

光致发光特点：

1、光致发光优点

设备简单，无破坏性，对样品尺寸无严格要求；分辨率高，可做薄层和微区分析。

2、光致发光缺点

通常只能做定性分析，而不作定量分析；如果做低温测试，需要液氦降温，条件比较苛刻；不能反映出非辐射复合的深能级缺陷中心。

参考资料来源：百度百科--光致发光光谱

激发光谱（PLE）和发射光谱（PL）。激发光谱：固定发射光的波长，改变激发光的波长，记录荧光强度随激发波长的变化。发射光谱：固定激发光的波长，记录不同发射波长处荧光强度随发射波长的变化。

无论是激发还是发射荧光光谱图，其都是记录发射荧光强度随波长的变化。如果荧光光谱中纵坐标为强度，横坐标为波长。那么就能获取峰位和半峰宽。峰位的直观体现是荧光的颜色；半峰宽则表示荧光的纯度。

光致发光光谱

光致发光光谱（Photoluminescence Spectroscopy，简称PL谱），指物质在光的激励下，电子从价带跃迁至导带并在价带留下空穴；电子和空穴在各自的导带和价带中通过弛豫达到各自未被占据的最低激发态（在本征半导体中即导带底和价带顶），成为准平衡态。

准平衡态下的电子和空穴再通过复合发光，形成不同波长光的强度或能量分布的光谱图。光致发光过程包括荧光发光和磷光发光。

光谱应用

在激发光能量不是非常大的情况下，PL测试是一种无损的测试方法，可以快速、便捷地表征半导体材料的缺陷、杂质以及材料的发光性能。

1、组分测定；对三元系或四元系合金，如InxGa1-xN等，通过PL峰位确定半导体材料的禁带宽度，进而确定材料组分x。

2、杂质识别；通过光谱中的特征谱线位置，可以识别材料中的杂质元素。

3、杂质浓度测定。

4、变温Pl可以测试材料/器件的发光效率。

5、半导体材料的少数载流子寿命。

6、位错等缺陷的相关作用研究。

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