半导体材料的厚度与吸收光谱的关系

半导体材料的厚度与吸收光谱的关系,第1张

半导体材料的厚度与吸收光谱的关系。半导体导带和价带之间存在能隙(energy gap),当入射光的能量等于能隙时,入射光将会被材料大量吸收,因此会在能隙位置出现吸收峰,这是半导体材料吸收光谱的特征峰位置。

半导体导带和价带之间存在能隙(energy

gap),当入射光的能量等于能隙时,入射光将会被材料大量吸收,因此会在能隙位置出现吸收峰,这是半导体材料吸收光谱的特征峰位置。


欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: https://outofmemory.cn/dianzi/8637257.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2023-04-19
下一篇 2023-04-19

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存